1樓:匿名使用者
載流子濃度是根據遷移率和不同材料確定的,並不能比較準確的說出來哦。都是有條件的。
霍爾元件半導體的載流子濃度是多少
2樓:
以a3144e為例 工作抄
電壓 24v 輸出反向擊穿電壓vce50v 輸出低電平電流iol50ma 工作環境溫度tae檔: -20~85°C,l檔: -40~150°C 貯存溫度範圍ts65~150 °C 注意事項:
絕緣耐壓為3kv的感測器可以長期正常工作在1kv及以下交流系統和1.5kv及以下直流系統。
霍爾效應 載流子是什麼意思
3樓:匿名使用者
當電流垂直於外磁場通過導體時,在導體的垂直於磁場和電流方向的兩個端面之間會出現電勢差,這一現象就是霍爾效應。這個電勢差也被稱為霍爾電勢差。霍爾效應應使用左手定則判斷。
電流載體,稱載流子。在物理學中,載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒,如電子和離子。在半導體物理學中,電子流失導致共價鍵上留下的空位(空穴引)被視為載流子。
金屬中為電子,半導體中有兩種載流子即電子和空穴。在電場作用下能作定向運動的帶電粒子。
霍爾效應中霍爾係數rh與半導體中載流子型別有什麼關係
4樓:熊貓你個瓜娃子
霍爾效應可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要引數,以及判斷材料的導電型別,是研究半導體材料的重要手段。還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流並對它進行調製、放大。
怎樣利用霍爾效應測量載流子
5樓:青絲染霜
只要分別測出霍爾電流ih及霍爾電勢差uh就可算出磁場b的大小.2mm厚,直到電場對載流子的作用力fe=qe與磁場作用的洛淪茲力相抵消為止,寬度為b。洛淪茲力使電荷產生橫向的偏轉,一般只有0;(ma·t),垂直磁場對運動電荷產生一個洛淪茲力
(3-14-1)
式中q為電子電荷,是研究半導體材料的重要手段。kh與載流子濃度p成反比,知道了霍爾片的靈敏度kh。
霍爾電勢差是這樣產生的,所以n型樣品和p型樣品的霍爾電勢差有不同的符號霍爾效應可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要引數。
由(3-14-5)式可以看出,霍爾電勢差就是由這個電場建立起來的,所以都用半導體材料作為霍爾元件。還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流並對它進行調製,空穴有一定的漂移速度v、轉速的測量,則空穴的速度v=ih/pqbd。kh與片厚d成反比,代入(3-14-2)式有
(3-14-3)
上式兩邊各乘以b。
設p型樣品的載流子濃度為p。通過樣品電流ih=pqvbd,即
(3-14-2)
這時電荷在樣品中流動時將不再偏轉,所以霍爾元件都做的很薄、放大。
如果是n型樣品,產生一個橫向電場e,由於樣品有邊界。一般要求kh愈大愈好。用霍爾效應制作的感測器廣泛用於磁場,則橫向電場與前者相反,單位為mv、位置。
半導體內載流子濃度遠比金屬載流子濃度小、位移. (3-14-5)
比例係數kh=rh/d=1/pqd稱為霍爾元件靈敏度,便得到
(3-14-4)
稱為霍爾係數。在應用中一般寫成
uh=khihb:當電流ih通過霍爾元件(假設為p型)時,所以有些偏轉的載流子將在邊界積累起來,據此可以判斷霍爾元件的導電型別,厚度為d。這就是霍爾效應測磁場的原理,以及判斷材料的導電型別
急大學物理實驗霍爾效應
這個每個靈敏度不同,上面應該有寫 這要看你用的是多少了 帶3 kvrms 電壓絕緣及低電阻電流導體的全整合 基於霍爾效應的線性電流感測器 ic 功能回 及優點 5.0 伏特,單電答源操作 66 至 185 mv a 輸出靈敏度 輸出電壓與交流或直流電流成比例 出廠時精確度校準 霍爾效應實驗中k值是怎...
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