1樓：匿名使用者
我來說吧，三極體要放大，有兩個條件：發射結正偏，集電結反偏。
對於npn管來說，發射結是基極（p）指向發射極（n），集電結是基極（p）指向集電極（n）。
而且對於半導體來說，多子是攜帶電荷的主流，代表主要電流的方向。
先看發射極，由於是n區，多子是電子（負電）。由於發射結正偏，pn結內電場的方向從基極指向發射極，電子在電場內的運動與電場方向相反，所以電子（從電源負極出發）會向基極運動。直接越過pn結到達基極。
由於基極很薄，而且濃度很低，所以電子流沒有受到阻礙一直到達集電極——基極邊界。而在這個地方，剛好是集電結反偏，也就是電場方向是從集電極指向基極，此時電子在電場的作用下，繼續逆著電場方向運動（因為帶負電），一直到集電極，並轉入電源正極，這樣完成了一個迴圈。由於電流的方向是正電子的運動方向，所以標註的電流方向與這個電子的運動方向相反，所以你看到的是電流從集電極流入到發射極流出。
pnp三極體的判斷與這個很類似，你可以嘗試一下。
2樓：匿名使用者
這很難以幾句話能講清，我只能簡單的講幾句，基區極薄、基區載流子濃度極低所以當射極電子大量進入基區時只有少量電子能與基區內的空穴複合，同時這些電子又受集區的強大電場吸引進入集區而完成所謂的"放大"作用。即ie=ic+ib ic>>ib
三極體的電流方向？
3樓：人設不能崩無限
三極體的電流是從集電極流入，發射極流出。
三極體要放大，有兩個條
件：發射結正偏，集電結反偏。
對於npn管來說，發射結是基極（p）指向發射極（n），集電結是基極（p）指向集電極（n）。而且對於半導體來說，多子是攜帶電荷的主流，代表主要電流的方向。
先看發射極，由於是n區，多子是電子（負電）。由於發射結正偏，pn結內電場的方向從基極指向發射極，電子在電場內的運動與電場方向相反，所以電子（從電源負極出發）會向基極運動。直接越過pn結到達基極。
由於基極很薄，而且濃度很低，所以電子流沒有受到阻礙一直到達集電極——基極邊界。而在這個地方，剛好是集電結反偏，也就是電場方向是從集電極指向基極，此時電子在電場的作用下，繼續逆著電場方向運動（因為帶負電），一直到集電極，並轉入電源正極，這樣完成了一個迴圈。
由於電流的方向是正電子的運動方向，所以標註的電流方向與這個電子的運動方向相反，所以你看到的是電流從集電極流入，到發射極流出。
4樓：匿名使用者
三極體的結構是pnp或npn三層，但並不等價於兩個背對背pn結，主要的特殊之處有2點，(1)中間的基區非常薄（微米到亞微米級的）；(2)發射區的摻雜濃度非常高（因此有大量的「載流子」）
導不導電主要看2條：(1)有沒有電場（也就是電壓，是驅動力，是外因）；(2)有沒有「載流子」（就是帶有電荷，又可以自由移動的粒子，這是內因）。
以npn管為例來講，當發射結正向偏置時，發射區的大量「載流子」電子通過發射結進入基區，由於基區很薄，它們還來不及從基極流走時就來到了集電結，而集電結上所加的反向偏壓恰恰是吸引電子到集電區的，在這個「驅動力」的作用下，絕大部分電子流向了集電極，從而形成大的集電極電流，而只有很少的電子經基極流走，形成很小的基極電流。
事實上，發射區的摻雜濃度越高，基區越薄，則上述兩種流向的電子比值就越大，也就是我們通常說的三極體的電流放大倍數越高。
5樓：100度男孩
簡單，你就記住一條發射極中的電流是基極和集電極電流之和，對於npn型管子電流是從集電極和基極流入，發射極流出，所以箭頭向外；對於pnp型管子，由於電流是從發射極流入，從集電極和基極流出，所以箭頭向裡，希望對你有幫助
6樓：江蘇宿遷
就看發射極箭頭指向啊
在三極體中（npn和pnp）的電流流向
7樓：墨汁諾
npn是兩進一出，ic+ib=ie.pnp是一進兩出，工藝部同，和電流方向不同
。npn是集電極流向發射極，pnp是發射極流向集電極。
一般情況pnp三極體是c極輸出電流，npn三極體c極輸如電流。
在三極體甲類放大電路工作時,基極電流有兩路,其中: ib1為偏置電流、也叫靜態電流或叫起始電流。其作用是使輸入的ib2無論大小、正負都能完整地、無失真地流經三極體的b、e極。
ib2為輸入的訊號電流。ib1、ib2的關係是:ib2+ib1。
8樓：匿名使用者
對於npn管，npn三極體要導通則需要兩個pn結處於正偏電壓，npn是用b—e的電流（ib）控制c—e的電流（ic），e極電位最低，且正常放大時通常c極電位最高，即vc>vb>ve。所以，電流的流向是由c極流向e極。b極是控制腳，b的電流流向e。
對於pnp管，pnp是用e—b的電流（ib）控制e—c的電流（ic），e極電位最高，且正常放大時通常c極電位最低，即vc。
npn做開關時，適合放在電路的接地端使用， pnp做開關時，適合放在電路的電源端使用， npn基極高電壓，集電極與發射極短路。低電壓，集電極與發射極開路。也就是不工作。
pnp基極高電壓。集電極與發射極開路，也就是不工作。如果基極加低電位，集電極與發射極短路。
9樓：匿名使用者
npn是兩進一出，ic+ib=ie.pnp是一進兩出，他們的工藝部同，和電流方向不同。
10樓：匿名使用者
晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有npn和pnp兩種結構形式，但使用最多的是矽npn和鍺pnp兩種三極體，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹npn矽管的電流放大原理。
對於npn管，它是由2塊n型半導體中間夾著一塊p型半導體所組成，發射區與基區之間形成的pn結稱為發射結,而集電區與基區形成的pn結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極c。 當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而c點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源ec要高於基極電源ebo。 在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）極基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。
由於基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被複合掉的基區空穴由基極電源eb重新補給，從而形成了基極電流ibo.根據電流連續性原理得： ie=ib+ic 這就是說，在基極補充一個很小的ib，就可以在集電極上得到一個較大的ic，這就是所謂電流放大作用，ic與ib是維持一定的比例關係，即：
β1=ic/ib 式中：β1--稱為直流放大倍數， 集電極電流的變化量△ic與基極電流的變化量△ib之比為： β= △ic/△ib 式中β--稱為交流電流放大倍數，由於低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。
三極體是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極體的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。 三極體放大時管子內部的工作原理 1、發射區向基區發射電子 電源ub經過電阻rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與複合 電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴複合，擴散的電子流與複合電子流之比例決定了三極體的放大能力。 3、集電區收集電子 由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流i**。
另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。
11樓：梅
npn是集電極流向發射極，pnp是發射極流向集電極。
12樓：匿名使用者
一般情況pnp三極體是c極輸出電流，npn三極體c極輸如電流。
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