1樓：天蠍神經俠侶
判定柵極g：將萬用表撥至r×1k檔,用萬用表的負極任意接一電極,另一隻表筆依次去接觸其版餘的兩個極權,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.
漏極和源極互換,若兩次測出的電阻都很大,則為n溝道；若兩次測得的阻值都很小,則為p溝道。
判定源極s、漏極d：在源-漏之間有一個pn結,因此根據pn結正、反向電阻存在差異,可識別s極與d極.用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是s極,紅表筆接d極。
mos管，即在積體電路中絕緣性場效電晶體。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
mos管的source和drain是可以對調的，都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。
2樓：匿名使用者
用一般指來針表r*10k擋不但能測
源出好壞還能測出大致性bai能但du要注意以下幾點zhi1，有些mos管在d、
daos ， g、s二極間接有反向二極體必需加以區別如二極正反向均通則必壞無疑。故能以該法找出s極
2，如表筆接ds二極並極性對應以手指接觸黑表棒及g極可見管子導通當手指離開還可維侍導通數秒(以上抗指n增強型)。
3，如以元珠筆等塑料摩擦頭髮使之帶電靠近g極也有如此反應但切勿接觸以免損壞
mos管的引腳，g、s、d分別代表什麼？
3樓：為江山放棄了愛
g：gate 柵極；s：source 源極；d：drain 漏極。n溝道的電源一般接在d，輸出s，p溝道的電源一般接在s，輸出d。增強耗盡接法基本一樣。
電晶體有n型channel所有它稱為n-channel mos管，或nmos。p-channel mos（pmos）管也存在，是一個由輕摻雜的n型backgate和p型source和drain組成的pmos管。
擴充套件資料
mos管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。
無論n型或者p型mos管，其工作原理本質是一樣的。mos管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。mos管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極體做開關時的因基極電流引起的電荷儲存效應，因此在開關應用中，mos管的開關速度應該比三極體快。
4樓：匿名使用者
g：gate 柵極
s：source 源極
d：drain 漏極
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體。市面上常有的一般為n溝道和p溝道。n溝道的電源一般接在d，輸出s，p溝道的電源一般接在s，輸出d。
5樓：獨行沒趣
mos管也叫場效電晶體，它是一種半導體器件。它分別有三個極，d-極（也叫漏極）、g-極（也叫柵極）、s-極（也叫源極）。它的特性有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
6樓：匿名使用者
n溝道的電源一般接在d，輸出s，p溝道的電源一般接在s，輸出d。
增強耗盡接法基本一樣。
p是指p溝道,n是指n溝道。
g：gate 柵極
s：source 源極
d：drain 漏極
說得夠明白了。
如何區分N溝道MOS管的各級MOS管怎麼區分N溝道和P溝道呢？
這個最好看一下該型號管子的pdf，比較保險，大功率的時候，n mosfet一般字朝自己，腳向下，從左到右，g，d，s，背後的散熱片連d。一般寫在pdf的最後一頁 也就是封裝那頁 或第一頁 在各種引數和曲線之前 如果你平常比較關注這方面，其實你會發現，這裡面挺有規律的。導通特性 nmos的特性，vgs...
用光耦驅動MOS管，控制電機的時候，MOS管持續導通是什麼原因（附電路圖）
有mos管的開啟電壓參bai數嗎？du 設引數為ug，則要zhi求 12xr4 r2 r3 r4 1.1ug由於以上電阻通過的電dao流不必太大，內 可以去k級電阻，如容ug 3v，r2 r3 r4 可取20k，則r4 5.1k，r2 6.8k，r3 6.8k r5的數值和電磁閥的電流有關，電磁閥電...
這是什麼mos管,引腳分別是啥,MOS管的引腳,GSD分別代表什麼
這個不是mos管,是一個穩壓晶片,輸入15 17v輸出12v。不同型號,引數不同,但是輸出都是12v mos管的引腳,g s d分別代表什麼?g gate 柵極 s source 源極 d drain 漏極。n溝道的電源一般接在d,輸出s,p溝道的電源一般接在s,輸出d。增強耗盡接法基本一樣。電晶體...