1樓：匿名使用者
從來沒有npn型mos管這種說法。mos只有nmos和pmos兩種。npn和pnp是三極體的說法。
nmos的g=0.5v，s=5v，d=0v，這種說法也是錯誤的。這個時候s和d已經互換。如果vt低於0.5v，此時nmos導通。
需要指出的是，只有對稱型的mos才允許s和d互換。
npn和npn分別代表什麼？npn是低電平時導通還是高電平時導通？ 三個極又分別代表什麼？
2樓：匿名使用者
npn和pnp代表晶bai
體管的型別
電晶體分du為三個區
域:發射區zhie,基區b和集電dao區c.對應的三個極
內就是容發射極,基極和集電極
如果e和c是n型的而b是p型的 那這個管子就是npn管, 反之則是pnp管.(n型就是在本徵半導體中摻入v族元素,電子是多子;p型就是摻入iii族元素,空穴是多子)
npn管高電平導通,pnp管低電平導通.
如果是感測器，那，npn,常開，單感測器不作用時，輸出低電平，作用時，輸出高電平。npn,常閉，單感測器不作用時，輸出高電平，作用時，輸出低電平。
pnp,常開，單感測器不作用時，輸出高電平，作用時，輸出低電平。pnp,常閉，單感測器不作用時，輸出低電平，作用時，輸出高電平。
如果，你用的是直流24v的感測器，還可以這樣理解，高電平+24v,低電平0v。
3樓：匿名使用者
npn和pnp代表電晶體
復的型別
電晶體分製為三個區域:發射bai區e,基區b和集du電區c.對應的三zhi個極就是發射極dao,基極和集電極如果e和c是n型的而b是p型的 那這個管子就是npn管, 反之則是pnp管.
(n型就是在本徵半導體中摻入v族元素,電子是多子;p型就是摻入iii族元素,空穴是多子)
npn管高電平導通,pnp管低電平導通.
4樓：匿名使用者
npn和pnp代表電晶體的類bai型
電晶體分為三個du區
zhi域:發射區e,基區b和集dao電區c.對應的三個極就是內發射容極,基極和集電極
如果e和c是n型的而b是p型的 那這個管子就是npn管, 反之則是pnp管.(n型就是在本徵半導體中摻入v族元素,電子是多子;p型就是摻入iii族元素,空穴是多子)
npn管高電平導通,pnp管低電平導通.
npn是高電平導通，pnp是低電平導通嗎 5
5樓：shao冰
發射結正偏，集電結反偏時處於放大狀態。
發射結正偏，集電結正偏時處於飽和狀態。
npn基極高於發射極電壓是導通，pnp發射極電壓高於基極電壓時導通。一般是高於0.6v。
6樓：蓴灬叔
三極體只是晶體bai管的一種，電晶體包括二du極管、三極體、場效zhi應管、達dao林頓管等等；
b是三極體的基極，c是集電極，e是發射極。
三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件·其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號， 也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的pn結，兩個pn結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有pnp和npn兩種。
7樓：匿名使用者
...當然不是 這只是代表他們的結構的組成罷了....
mos管的高電平低電平到底指什麼樣的電壓為高低？
8樓：匿名使用者
mos管pdf中都有一個vth的引數，這個引數是mos開通的門限電壓，當mos管gs兩端電壓低於此電壓時為低，高於此電壓時開始導通，當高於vmiller（這個pdf中不一定有）電壓後完全導通。
開關電源裡 mos導通時 d s之間的電壓為什麼接近於0
9樓：匿名使用者
開關電源裡的覆電源開關管都
10樓：匿名使用者
都說導通~那麼ds間的電阻就是為0歐姆，根據歐姆定律，u=ir，如果r=0，那麼u=0，所以 mos導通時 d s之間的電壓接近於0
11樓：匿名使用者
導通的ds 之間相當於一個電阻，這不同於雙極器件。這個電阻值手冊一般給出參考值。
mos管電平導通與截止
12樓：
從結構上看，n溝道耗盡型mos管與n溝道增強型mos管基本相似,其區別僅在於柵－源極間電壓vgs=0時，耗盡型mos管中的漏－源極間已有導電溝道產生，而增強
13樓：匿名使用者
簡單的說bai，mos管通過g端的電平來控制dud與s端的導通，就zhi像開關一樣（
daog為按鍵，版d與s分別為兩邊連線）。權
n、p型的區別，就是一個為正電壓啟動(nmos)，一個為負電壓啟動(pmos)。
即：nmos的g端為高電平時，d端與s端導通，為低電平時d端與s端斷開；pmos相反。
ps：mos管比較重要的參考有vds，即d與s端允許的最大電壓值；ron，導通時的電阻；ton，toff，開關狀態轉變的時間。
bt137為什麼直接給g極電壓驅動，但好像一直導通 10
14樓：匿名使用者
bt137是雙向可控矽，導通後只要電流不小於它的維持值時會一直導通的，與g極電壓無關。只有電流小於維持值時，才會關斷，關斷後它的再次導通就要受到g極電壓控制。
15樓：匿名使用者
雙向可控矽應該是過零驅動的！
16樓：安全護航
要想將其截止，g的電平一定要低於某個值（視具體管子定），直接給電壓，低電平時可能無法達到低電平值，從而無法截止。驅動方法還有用低電平值低於它的要求的cmos積體電路。
mos管d極和s極要短接一下才導通？
17樓：匿名使用者
1，線路設計是沒有問題的， 但是你漏了一個電阻，就是在mos管的s端應該有個
保護電阻，因為靠mos過流內阻上升到0.7v很難，所以電晶體保護就失去意義
2，你確定ds沒有接錯， d接燈，s接地
3，使用電錶測量vgs（測量mos管的腳）是否》5v？
6, 你電阻r28=5.1k， r27=474 ？ 是否是470k？
7，工作時候(燈亮)vgs 的
電壓應該＝[蓄電池－1.4）×（r27/(r27+r28)]電壓必須》5v
如果不是就是控制那個光耦（猜測）線路可能有些問題以上如果使用的是irf1404
18樓：匿名使用者
把電路帖上來看看，可能電路有問題。
pmos導通條件是vgs為負,他的臨界導通可以是0嗎,就是g與s電壓一樣
19樓：匿名使用者
pmos 或者 nmos 都有增強型和耗盡型，可以看看類比電子課本，我忘記是哪個型別了，有一種是可以零電壓導通，而另一種不行。
NPN是高電平導通,PNP是低電平導通嗎
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為什麼NPN型三極體基極輸入低電平，集電極輸出的是高電平
npn三極體基極輸入低電平，三極體截止狀態。集電極輸出電壓就是電源電壓vcc，因為沒有電流ic 矛盾嗎？這要看接法了，如果輸出接發射級，基極輸入低電平的時候，不導通，發射級是低電平 如果輸出接集電極，集電極接上拉電阻，這種情況相當於倒相，輸出是高電平的。對於npn來說，就如上面圖2水箱流水一樣，水往...
為什麼二進位制的1是高電平，能使二極體亮？0是低電平，能使二極體滅
半導體制作邏輯電路時，用高電平表示1，低電平表示0的規則使得 電路簡單，成本低，回也符合大多數人的理答解。之所以高電平二極體亮，是因為二極體負極接0電平，正極為高電平時二極體就亮。二極體導通電壓一般是0.7v，也就是說只要正極比負極電壓高0.7v，二極體就導通，電流流過二極體發光。其實大多數情況下二...