1樓：千公小勤
你那時對電子的理解的確很菜，你認為的運放晶片，其實叫電源管理ic。三極體與mos管的區別在於，mos管能承受更高的溫度和電流80℃也不容易燒壞，優點噪音相對較小，驅動方式有所差別，也稍微複雜一點，而且要求較高，反饋接錯就容易燒壞，實際功率並沒有三極體的輸出效果好，初學者不易掌握。三極體的優點是**明顯便宜，表面工作溫度不能超過60℃，最好不要超過50℃，不然也會燒燬。
三極體的缺點就是工作振盪聲音較大，輸出要認同名端才能達到較好的理想效果，當然功率效果達到了，三極體溫度上升就非常歷害。無論是半波整流，還是全橋整流，開關電源輸出端都必須形成完整的整流電路，才能測試出有效的工作效率。也就是說，副繞組必須通過二極體整流，再將正負極加到電容和假負載電阻兩端，才是一個完整的開關電源電路，這時測量所得的資料才是真實的。
2樓：匿名使用者
第一，你這種改法是不好的，原來的雙運放有可能兼顧了穩壓，恆流。這樣對電路不利。第二。
你要看電池的容量是多大的，一般是十分之一的電流充電最合適（如40ah就用4a的電流充電），要快速充電可以適當加點，但不要加太大了，
還有就是你的電源功率有多大，電瓶車的電壓一般都是48v，60v，根據容量2-3a,60v乘以3 就是180瓦，
開關電源有很多種，如果是半橋的就得用全波整流，，和工頻變壓器不一樣，，你說的用全波整流比半波整流的電流小，半波是脈動電流看起大，他的平均值不大，但是電瓶用脈動充電是較好的，
3樓：匿名使用者
請傳電路上圖才好分析
4樓：匿名使用者
回答對了也不會被採納
5樓：匿名使用者
開關電源分為反激式、正激式、推輓式三種形式，如果前面兩種方式的波形只有半個週期，無法使用橋式整流的，得到的只是截止期與導通期的效率，而推輓式的則可以交替導通，正半周與負半周同時存在，則可以採用橋式整理，得到是全波形的整流。
三極體和mos管在做開關電源電路設計中如何區別及選用
6樓：悠悠__3瑬
分成npn和pnp兩種。我們僅以npn三極體的共發射極放大電路為例來說明一下三極體放大電路的基本原理。
我們把從基極b流至發射極e的電流叫做基極電流ib;把從集電極c流至發射極e的電流叫做集電極電流 ic。這兩個電流的方向都是流出發射極的，所以發射極e上就用了一個箭頭來表示電流的方向。三極體的放大作用就是：
集電極電流受基極電流的控制(假設電源能夠提供給集電極足夠大的電流的話)，並且基極電流很小的變化，會引起集電極電流很大的變化，且變化滿足一定的比例關係：集電極電流的變化量是基極電流變 化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極體的放大倍數(β一般遠大於1，例如幾十，幾百)。如果我們將一個變化的小訊號加到基極跟發射極之間，這就會引起基極電流ib的變化，ib的變化被放大後，導致了ic很大的變化。
三極體是電流控制型器件。
mos管是金屬(metal)氧化物(oxid)半導體(semiconductor)場效應電晶體。或者稱是金屬絕緣體(insulator)半導體。mos管的源(source)和漏(drain)是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。
在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。
當mos電容的柵極(gate)相對於襯底(backgate)正偏置時發生的情況。穿過gate dielectric的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表面。
隨著gate電壓的升高，會出現表面的電子比空穴多的情況。由於過剩的電子，矽表層看上去就像n型矽。摻雜極性的反轉被稱為inversion，反轉的矽層叫做溝道(channel)。
隨著gate電壓的持續不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強反轉。channel形成時的電壓被稱為閾值電壓vt。當gate和backgate之間的電壓差小於閾值電壓時，不會形成channel。
所以mos是電壓控制型器件。
(1)場效電晶體是電壓控制元件，而電晶體是電流控制元件。在只允許從訊號源取較少電流的情況下，應選用場效電晶體;而在訊號電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應選用電晶體。
(2)場效電晶體是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。
(3)有些場效電晶體的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比電晶體好。
(4)場效電晶體能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效電晶體整合在一塊矽片上，因此場效電晶體在大規模積體電路中得到了廣泛的應用。
(5)場效應電晶體具有較高輸入阻抗和低噪聲等優點，因而也被廣泛應用於開關電源及各種電子裝置中。尤其用場效管做開關電源的功率驅動，可以獲得一般電晶體很難達到的效能。
(6)場效電晶體分成結型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。
三極體bjt與場效電晶體fet的區別很多，簡單列出幾條：
1.三極體用電流控制，mos管屬於電壓控制，bjt放大電流，fet將柵極電壓轉換為漏極電流。bjt第一引數是電流放大倍數β值，fet第一引數是跨導gm;
2.驅動能力：mos管常用來電源開關管，以及大電流地方開關電路;
3.成本問題：三極體便宜，mos管貴;
4.bjt線性較差，fet線性較好;
5.bjt噪聲較大，fet噪聲較小;
6.bjt極性只有npn和pnp兩類，fet極性有n溝道、p溝道，還有耗盡型和增強型,所以fet選型和使用都比較複雜;
7.功耗問題：bjt輸入電阻小，消耗電流大，fet輸入電阻很大，幾乎不消耗電流;
實際上就是三極體比較便宜，用起來方便，常用在數位電路開關控制;mos管用於高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
既然三極體可以作為開關電源的開關，那麼為什麼還要用mos管？
7樓：相愛已成往事
1.mos管損耗比三極體小，導通後壓降理論上為0。
2.mos管為電壓驅動型，只需要給電壓即可，意思是即便串入一個100k的電阻，只要電壓夠，mos管還是能夠導通。
3.mos管的溫度特性要比三極體好。
mos管比三極體最大的優點是所需的驅動功率小，用mos管做電源驅動時，只需要一個驅動電壓訊號即可，就可以控制很大的電源電流了（幾安培到幾十安培），控制很方便，如果用三極體，需要幾級推動電路，將控制電流逐步加大，也就是多級放大，常見的方式是達林頓電路，這樣在設計電路時就很繁瑣了，除錯也費勁。
三極體（bjt）是電流控制器件，mos是電壓控制器件，三極體需要較大的控制電流，很多時候需要逐級放大，而mos管的柵極電流極小，幾乎可以忽略，再加上mos管飽和導通時產生的壓降比bjt飽和壓降低，所以耗散功率小，效率也更高，所以一般的功率開關管會選擇mos管而不是bjt。
不過mos管並不是沒有缺點的，由於mos管的柵電容的天然缺點，會影響它的開關速度，同樣用途的管子，一般bjt要比mos的速度更快。
另外mos管的輸入阻抗接近無窮，所以最大程度的分壓，用作開關靜態時，漏電小，功耗小。
當然，這裡面還有個成本問題，相對來說，三極體是最便宜的，mos管次之，igbt就貴很多了。補充說明：實際的應用中大功率的三極體也是有的！
最後，我想說，其實這些「開關」本無好壞之分，夠用就好！
8樓：卡卡西
mos是電壓控制器件，三抄
極管需要較大的控制電流，很多時候需要逐級放大，而mos管的柵極電流極小，幾乎可以忽略，再加上mos管飽和導通時產生的壓降比bjt飽和壓降低，所以耗散功率小，效率也更高，所以一般的功率開關管會選擇mos管而不是bjt。
9樓：不服輸的黑巖
因為mos管便宜，而且三極體不是什麼時候都能作為開關電源的
10樓：earth小小杰
因為三極體耗費的快，而且還很貴，就不如選一個價效比稍微高一點的便宜的。
11樓：匿名使用者
因為三極體會有一些地方用不到，而且它的成本也比較高，不如用mos管。
12樓：穎love兒哈
雖然三極體可以作為開關來使用，但是它的製作成本太高了，不划算
13樓：星期一要吃糕
mos管造價便宜而且效果更好，既然如此何樂而不為呢。
14樓：匿名使用者
mos管比三極體最大的優點是所需的驅動功率小，控制很方便。
15樓：風亠炫
因為三極體的製作成本太高了，而mos不僅可以實現三極體的功能，還很便宜。
16樓：丨擇城
主要的原因是因為三極體在製作的成分實在是太高了
開關電源中開關管是不是用的場效電晶體（主迴路的），為什麼不用三極體
1，三極體頻率做不高 現在的開關電源頻率普遍50k以上 2，三極體導通損耗要大於mos管。其他的我也不知道了。mos是電壓驅動，導通壓降低，頻率高，損耗比三極體小。三極體是電流控制器件，場效電晶體是電壓控制器件，三極體有消耗，大多數用於訊號放大電路，場效電晶體驅動無消耗 普通晶體三極體和場效電晶體是...
求詳解 MOS管，三極體，功率管，開關管之間的聯絡與區別
開關管是mos管和三極體的一種用途，即用於控制電路導通和關斷。區別在於mos管使用電壓控制開關狀態而三極體是用電流控制開關狀態。mos管和三極體也可以不用做開關管，比如三極體經常工作於放大區用作電流放大器件，這是就不能算開關管。功率管是相對於訊號管而言的。如果器件是用於控制功率轉換的那麼就是功率管了...
為什麼開關電源的開關管一般是用MOS管而不晶體三極體
1，mos管損耗比三極體小 2，mos管為電壓驅動型，驅動電路比較簡單，三極體為電流驅動型 3，mos管的溫度特性要比三極體好 如一樓所說，原因是bjt是電流控制 器件，mos是電壓控制器件。bjt需要較大的控制電流，很多時候需要逐級放大，而mos的柵極電流很小，幾乎可以忽略 由於這個原因，再加上m...