1樓：匿名使用者
樓主指的是肖特基二極體吧快恢復二極體是指反向恢復時間很短的二極體（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用
pn結型結構，有的採用改進的pin結構。其正向壓降高於普通二極體（0.5-2v），反向耐壓多在1200v以
下。從效能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，後者則在100
ns(納秒)以下。
肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體，簡稱肖特基二極體(schottky
barrier diode），具有正向壓降低（0.4--1.0v）、反向恢復時間很短（2-10ns納秒），而且反向漏電
流較大，耐壓低，一般低於150v，多用於低電壓場合。
肖特基二極體和快恢復二極體區別：前者的恢復時間比後者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為
幾納秒！
前者的優點還有低功耗，大電流，超高速！電特性當然都是二極體！
快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的
耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件.
肖特基二極體：反向耐壓值較低(一般小於150v），通態壓降0.3-0.6v，小於10ns的反向恢復時間。它
是有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極體。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以採用
金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料採用矽或砷化鎵，多為n型半導體。這種器件是由多數載流子導
電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的pn結大得多。由於肖特基二極體中少數載流子的存
貯效應甚微，所以其頻率響僅為rc時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率
可達100ghz。並且，mis（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極
管。快恢復二極體：有0.8-1.1v的正向導通壓降，35-85ns的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，
提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得
較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件.
快恢復二極體frd（fast recovery diode）是近年來問世的新型半導體器件，具有開關特性好，反向恢
復時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。超快恢復二極體srd（supe***st recovery diode
），則是在快恢復二極體基礎上發展而成的，其反向恢復時間trr值已接近於肖特基二極體的指標。它
們可廣泛用於開關電源、脈寬調製器（pwm）、不間斷電源（ups）、交流電動機變頻調速（vvvf）、高
頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續流二極體或整流管，是極有發展前途的電力、電子半導體器件。
1．效能特點
1）反向恢復時間
反向恢復時間tr的定義是：電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流
器件效能的重要技術指標。反向恢復電流的波形如圖1所示。if為正向電流，irm為最大反向恢復電流。
irr為反向恢復電流，通常規定irr=0.1irm。當t≤t0時，正向電流i=if。當t＞t0時，由於整流器件上
的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時刻，i=0。然後整流器件上流過反向
電流ir，並且ir逐漸增大；在t=t2時刻達到最大反向恢復電流irm值。此後受正向電壓的作用，反向電
流逐漸減小，並在t=t3時刻達到規定值irr。從t2到t3的反向恢復過程與電容器放電過程有相似之處。
2）快恢復、超快恢復二極體的結構特點
快恢復二極體的內部結構與普通二極體不同，它是在p型、n型矽材料中間增加了基區i，構成p-i-n矽片
。由於基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受
很高的反向工作電壓。快恢復二極體的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6v，正向電流是
幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極體的反向恢復電荷進一步減小，使
其trr可低至幾十納秒。
20a以下的快恢復及超快恢復二極體大多采用to-220封裝形式。從內部結構看，可分成單管、對管（亦
稱雙管）兩種。對管內部包含兩隻快恢復二極體，根據兩隻二極體接法的不同，又有共陰對管、共陽對
管之分。圖2(a)是c 20-04型快恢復二極體（單管）的外形及內部結構。(b)圖和(c)圖分別是c92-02型
（共陰對管）、mur1680a型（共陽對管）超快恢復二極體的外形與構造。它們均採用to-220塑料封裝，
主要技術指標見表1。
幾十安的快恢復二極體一般採用to-3p金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則採用螺栓型
或平板型封裝形式。
2．檢測方法
1）測量反向恢復時間
測量電路如圖3。由直流電流源供規定的if，脈衝發生器經過隔直電容器c加脈衝訊號，利用電子示波器
觀察到的trr值，即是從i=0的時刻到ir=irr時刻所經歷的時間。
設器件內部的反向恢電荷為qrr，有關係式
trr≈2qrr/irm
由式(5.3.1)可知，當irm 為一定時，反向恢復電荷愈小，反向恢復時間就愈短。
2）常規檢測方法
在業餘條件下，利用萬用表能檢測快恢復、超快恢復二極體的單向導電性，以及內部有無開路、短路故
障，並能測出正向導通壓降。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。
例項：測量一隻超快恢復二極體，其主要引數為：trr=35ns，if=5a，ifsm=50a，vrm=700v。
將萬用表撥至r×1檔，讀出正向電阻為6.4ω，n′=19.5格；反向電阻則為無窮大。
進一步求得vf=0.03v/格×19.5=0.585v。證明管子是好的。
注意事項：
1）有些單管，共三個引腳，中間的為空腳，一般在出廠時剪掉，但也有不剪的。
2）若對管中有一隻管子損壞，則可作為單管使用。
3）測正向導通壓降時，必須使用r×1檔。若用r×1k檔，因測試電流太小，遠低於管子的正常工作電流
，故測出的vf值將明顯偏低。在上面例子中，如果選擇r×1k檔測量，正向電阻就等於2.2kω，此時n′
=9格。由此計算出的vf值僅0.27v，遠低於正常值(0.6v)。
2樓：匿名使用者
區別：快恢復二極體：正向壓降高於普通二極體（0.5-2v），反向耐壓多在1200v以 下。
普通二極體：具有正向壓降低（0.4--1.0v）、反向恢復時間很短（2-10ns納秒），而且反向漏電 流較大，耐壓低，一般低於150v，多用於低電壓場合。
快恢復二極體：
快恢復二極體（簡稱frd）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極體，主要應用於開關電源、pwm脈寬調製器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極體、續流二極體或阻尼二極體使用。快恢復二極體的內部結構與普通pn結二極體不同，它屬於pin結型二極體，即在p型矽材料與n型矽材料中間增加了基區i，構成pin矽片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極體的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。
二極體是電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（varicap diode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（rectifying）”功能。
二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。
肖特基二極體和快恢復二極體有什麼區別
3樓：辰達君
一、快恢復二極體簡稱frd（反向恢復時間很短的二極體），也是一種高速開關二極體，這種二極體的開關特性好，反向恢復時間很短，正向壓降低，反向擊穿電壓較高（耐壓值較高），主要應用於開關電源、脈寬調製電路pwm以及變頻等電子電路中。
二、肖特基二極體是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體，簡稱肖特基二極體。肖特基二極體屬於低功耗、超高速半導體器件，其反向恢復時間可小到幾個納秒（2-10ns納秒），正向壓降僅0.4v（0.
4--1.0v）左右，而整流電流卻克達到幾千安。而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低於150v，多用於低電壓場合。
三、肖特基二極體的恢復時間比快恢復二極體小一百倍左右，肖特基二極體的反向恢復時間大約為幾納秒！前者的優點還有低功耗，超高速！電特性當然都是二極體。
快恢復二極體在製造工藝上採用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓目前快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件。
以上回答由mdd辰達行電子提供
4樓：聽聽娛樂八卦圈
肖特基二極體是屬於低功耗、大電流、超高速的半導體器件，其特長是開關速度非常快，反向恢復時間可以小到幾個納秒，正向導通壓降僅0.4v左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作，電腦主機電源的輸出整流二極體就採用了肖特基二極體。
肖特基二極體是以n型半導體為基片，在上面形成用砷作摻染劑的n一外延層。陽性（阻擋層）金屬材料是鉬。二氧化矽用來消除邊緣區域電場，提高肖特基二極體的耐壓值。
n型基片摻雜濃度比n一層高100倍，具有很小的通態電阻。基片下部的n+陰極層用以減小陰極的接觸電阻。通過調整結構引數，可在基片與陽極金屬之間形成合適的肖特基二極體。
快恢復二極體是近年來問世的新型半導體器件，它具有開關特性好，反向恢復時間短、正向電流大、體積較小、安裝簡便等優點。可作高頻、大電流的整流、續流二極體，在開關電源、脈寬調製器(pwm)、不間電源(ups)、高頻加熱、交流電機變頻調速等電子裝置中得到了廣泛的應用，是極有發展前途的電力、電子半導體器件。
快恢復二極體的一個重要引數是反向恢復時間trr，其定義是：電流流過零點由正向轉換成反向，再由反向轉換到規定的值irr時的時間間隔，它是衡量高頻續流、整流器件效能的重要技術引數。
快恢復二極體的內部結構與普通二極體不同，它是在p型、n型矽材料中間增加了基區i，構成p-i-n矽片。由於基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降， 使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極體的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.
6v，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。
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