1樓:一口假牙
光照射在光電管的bai光陰極上能夠激發出du能量不同
zhi的電子。陽dao極電壓低時,只有能量高的版電子能夠到達權陽極,升高陽極電壓使低能量的電子也能到達陽極。所以曲線低端,陽極電壓越高,光電管的輸出電流越大。
根據愛因斯坦光量子假說,一個光子的能量只能傳給一個電子。當光照強度(光通量)一定時,光子的總數就是一定的,所能夠激發的電子總數就是一定的,當陽極電壓升高到一定值後,所有被激發出的電子都到達了陽極,再升高陽極電壓也不會有更多的光電子到達陽極。所以陽極電壓到達一定值後,電流達到飽和。
此時若要增加光電流,只能增加光通量(增加光子的數量)。
2樓:匿名使用者
一開始隨著光電流的增大,產生的電壓增加不是很大,到達一定值(由光的頻率和光電管構件決定)後,迅速增大。
光電管的實測伏安特性曲線和理論伏安特性曲線有何不同?為什麼?
3樓:匿名使用者
前者將在負向出現一個飽和值 因為有暗電流的存在。
光電管(phototube)基於外光電效應的基本光電轉換器件。光電管可使光訊號轉換成電訊號。光電管分為真空光電管和充氣光電管兩種。
光電管的典型結構是將球形玻璃殼抽成真空,在內半球面上塗一層光電材料作為陰極,球心放置小球形或小環形金屬作為陽極。若球內充低壓惰性氣體就成為充氣光電管。光電子在飛向陽極的過程中與氣體分子碰撞而使氣體電離,可增加光電管的靈敏度。
用作光電陰極的金屬有鹼金屬、汞、金、銀等,可適合不同波段的需要。光電管靈敏度低、體積大、易破損,已被固體光電器件所代替。
4樓:匿名使用者
前者將在負向出現一個飽和值
因為有暗電流的存在
5樓:昌豐篤綠柳
只要是伏安特性曲線的話,就是隻有一個依據吧,那就是歐姆定律,也就是r=u/i,即:就是電阻等於電阻兩端的電壓比上通過的電流。
6樓:蒼譽植正德
實驗中通過改變入射光的頻率,測出相應截止電壓us,在直角座標中作出us
~υ關係曲線,若它是一根直線,即證明了愛因斯坦方程的正確,並可由直線的斜率k=h/
υ,求出普朗克常數。
顯然,測量普朗克常數的關鍵在於準確地測出不同頻率υ所對應的截止電壓us,然而實際的光電管伏安特性曲線由於某種因素的影響與理想曲線(圖4-4-2)是不同的。下面對這些因素給實驗結果帶來的影響進行分析、認識,並在資料處理中加以修正。
首先,由於光電管在加工製作和使用過程,陽極常會被濺射上光陰極材料,當光照射光陰極時,不可避免有部分光漫反射到陽極上,致使陽極也發射光電子,而外加反向電場對陽極發射的光電子成為一個加速場,它們很快到達陽極形成反向電流。
其次,光電管即使沒有光照,在外加電壓下也會有微弱電流通過,稱為光電管的暗電流。產生暗電流的主要原因是極間絕緣電阻漏電(包括管座及玻璃殼內外表面的漏電)和陰極在常溫下的熱電子發射,暗電流與加電壓基本上成線性關係。
由於上述兩個原因的影響,實測的光電流實際上是陰極光電子發射形成的光電流、陽極光電子發射形成的反向電流和光電管暗電流的代數和。使實際的伏安特性曲線呈現圖4-4-4所示形狀,因此,真正的截止電壓us並不是曲線與u軸的交點,因為此時陰極光電流並未截止,當反向電壓繼續增大時,伏安特曲線將向反向電流繼續延伸,達到b點時逐漸趨向飽和。b點所對應的應向電壓才是對應頻率υ下的截止電壓。
從整個曲線看,b點是負值電流的變化率開始增大的「抬頭點」,所以在實際中確定截止電壓us是要準確地從伏安特性曲線中找出「抬頭點」所對應的電壓值。
光電效應 光電管伏安特性曲線分析
7樓:
從特性曲線分析,光線波長越短,光強度越強
光電效應 光電管伏安特性曲線分析該怎麼分析 從上到
8樓:編尋靈犀
光的強度與波長無關。應該說從光電管的伏安特性曲線分析,光線波長越短,光電管輸出功率越大,說明該光電管相對較短波長的光線,具有較高的靈敏度。
如何用excel做光電管的伏安特性曲線
9樓:匿名使用者
光電管的伏安特性,抄要記錄兩端施加的電壓和電流,主要還與光照的發光強度有關,如果要做伏安特性曲線,就要做大量的測試,在不同的光照下,施加不同電壓得出對應的電流值,記錄資料,有了測量資料就可以用excel的插入「折線圖」就能夠生成伏安特性曲線了。參考某一現成產品的伏安特性曲線(下圖)需要配備標準的可調發光強度的光源、可調電壓的額定的電源、微安表等。可以在不同流明值下,作出多條伏安特性曲線,然後合併即可。
供參考。
電晶體伏安特性曲線
座標軸不還，所有曲線與原點對稱 舉個例子 增強型n mosfet的輸出特性曲線記得吧，就這個圖，分佈在第一象限，現在全部關於原點對稱，放到第三象限裡去，這個就是同引數，增強型p mosfet的輸出特性曲線了 三極體中其實也可以分析一下，npn的輸出特性曲線你應該也沒問題吧，是這樣的。如果還是這個座標...
光敏電阻的伏安特性曲線，電阻的伏安特性曲線
光敏電阻是用硫化鎘或硒化鎘等半導體材料製成的特殊電阻器，其工作原理是基於內光電效應。光照愈強，阻值就愈低，隨著光照強度的公升高，電阻值迅速降低，亮電阻值可小至1k 以下。光敏電阻對光線十分敏感，其在無光照時，呈高阻狀態，暗電阻一般可達。光敏電阻的特殊效能，隨著科技的發展將得到極其廣泛應用。1 光敏電阻...
這是二極體的伏安特性曲線,根據要求畫圖
o a,電壓 是正向的,來可沒有源電流,因此叫死區 a b,電壓是正向的,有較大的電流,這個叫正向導通區 o c,電壓是反向的,也沒有電流,這個叫截止區 c d,電壓是反向的,電流變化率很大,這個叫反向擊穿區 用multisim分析半導體二極體的伏安特性觀察其現象並說明原因 如圖所示 在multis...