1樓：匿名使用者
座標軸不還，所有曲線與原點對稱（舉個例子：增強型n-mosfet的輸出特性曲線記得吧，就這個圖，分佈在第一象限，現在全部關於原點對稱，放到第三象限裡去，這個就是同引數，增強型p-mosfet的輸出特性曲線了）
三極體中其實也可以分析一下，npn的輸出特性曲線你應該也沒問題吧，是這樣的。
如果還是這個座標系，對於pnp管子來說，ic電流是從e流到c，e的電壓比c高，這也就意味著按上述座標（電流以c到e為參考方向，電壓以c到e為參考方向），pnp管子的ic和uce都是負值，也就是說，整個輸出特性曲線應該是分佈在第三象限中，與npn的這個圖完全按原點對稱，與mos管是一致的。
2樓：hi漫海
當uce=0的時候，輸入特性曲線，相當於一個pn結的正向導通後的伏安曲線。這個毋庸置疑
當uce>0的時候，處於發射極的多子，受到了集電極正電勢的吸引，會部分擴散到極電極，那麼在相同的ube的情況下，流經基極與ube正極複合的電子減少，表現為ib減小，在伏安曲線上看就是曲線向右平移。
光敏電阻的伏安特性曲線，電阻的伏安特性曲線
光敏電阻是用硫化鎘或硒化鎘等半導體材料製成的特殊電阻器，其工作原理是基於內光電效應。光照愈強，阻值就愈低，隨著光照強度的公升高，電阻值迅速降低，亮電阻值可小至1k 以下。光敏電阻對光線十分敏感，其在無光照時，呈高阻狀態，暗電阻一般可達。光敏電阻的特殊效能，隨著科技的發展將得到極其廣泛應用。1 光敏電阻...
光電管的伏安特性曲線的特點,光電管的伏安特性曲線的特點
光照射在光電管的bai光陰極上能夠激發出du能量不同 zhi的電子。陽dao極電壓低時,只有能量高的版電子能夠到達權陽極,升高陽極電壓使低能量的電子也能到達陽極。所以曲線低端,陽極電壓越高,光電管的輸出電流越大。根據愛因斯坦光量子假說,一個光子的能量只能傳給一個電子。當光照強度 光通量 一定時,光子...
這是二極體的伏安特性曲線,根據要求畫圖
o a,電壓 是正向的,來可沒有源電流,因此叫死區 a b,電壓是正向的,有較大的電流,這個叫正向導通區 o c,電壓是反向的,也沒有電流,這個叫截止區 c d,電壓是反向的,電流變化率很大,這個叫反向擊穿區 用multisim分析半導體二極體的伏安特性觀察其現象並說明原因 如圖所示 在multis...