1樓：匿名使用者
1、三極體中電流主要來自於多數載流子的定向流動。由其所帶電荷決定電流方向。
比如npn管子，發射區和集電區的都是n區，基極是p區。發射區的多子是自由電子（圖裡實心的黑點），帶負電。自由電子從發射區出發，由於發射結正偏，在電場作用下（方向從b指向e），自由電子向電場的正電壓向（也就是b區方向）運動（這是高中物理，在電場中，正電子會沿電場方向運動，而負電子運動的方向與電場方向相反），這個也就是發射極電流ien。
到達b區後，由於b區很薄，所以電子會越過b區直達集電結邊緣。此時集電結反偏，內電場方向由c指向b，因此，電子在電場作用下，繼續向c方向運動，直到到達集電極。形成集電極電流i**。
由於這裡都是自由電子的運動，所以電流方向與電子運動方向相反。
這個圖其實很好看，前面的ie就是電流，而後面的n代表帶負電的自由電子，p代表帶正電的空穴。
所以iep就是由發射區裡的空穴（少子，圖裡空心的點）形成的電流。
一樓的回答是不完善的，如果是pnp三極體，電流方向與多數載流子移動方向是相同的。他的回答只是對於npn三極體適用。
三極體的電流方向？
2樓：人設不能崩無限
三極體的電流是從集電極流入，發射極流出。
三極體要放大，有兩個條
件：發射結正偏，集電結反偏。
對於npn管來說，發射結是基極（p）指向發射極（n），集電結是基極（p）指向集電極（n）。而且對於半導體來說，多子是攜帶電荷的主流，代表主要電流的方向。
先看發射極，由於是n區，多子是電子（負電）。由於發射結正偏，pn結內電場的方向從基極指向發射極，電子在電場內的運動與電場方向相反，所以電子（從電源負極出發）會向基極運動。直接越過pn結到達基極。
由於基極很薄，而且濃度很低，所以電子流沒有受到阻礙一直到達集電極——基極邊界。而在這個地方，剛好是集電結反偏，也就是電場方向是從集電極指向基極，此時電子在電場的作用下，繼續逆著電場方向運動（因為帶負電），一直到集電極，並轉入電源正極，這樣完成了一個迴圈。
由於電流的方向是正電子的運動方向，所以標註的電流方向與這個電子的運動方向相反，所以你看到的是電流從集電極流入，到發射極流出。
3樓：匿名使用者
三極體的結構是pnp或npn三層，但並不等價於兩個背對背pn結，主要的特殊之處有2點，(1)中間的基區非常薄（微米到亞微米級的）；(2)發射區的摻雜濃度非常高（因此有大量的「載流子」）
導不導電主要看2條：(1)有沒有電場（也就是電壓，是驅動力，是外因）；(2)有沒有「載流子」（就是帶有電荷，又可以自由移動的粒子，這是內因）。
以npn管為例來講，當發射結正向偏置時，發射區的大量「載流子」電子通過發射結進入基區，由於基區很薄，它們還來不及從基極流走時就來到了集電結，而集電結上所加的反向偏壓恰恰是吸引電子到集電區的，在這個「驅動力」的作用下，絕大部分電子流向了集電極，從而形成大的集電極電流，而只有很少的電子經基極流走，形成很小的基極電流。
事實上，發射區的摻雜濃度越高，基區越薄，則上述兩種流向的電子比值就越大，也就是我們通常說的三極體的電流放大倍數越高。
4樓：100度男孩
簡單，你就記住一條發射極中的電流是基極和集電極電流之和，對於npn型管子電流是從集電極和基極流入，發射極流出，所以箭頭向外；對於pnp型管子，由於電流是從發射極流入，從集電極和基極流出，所以箭頭向裡，希望對你有幫助
5樓：江蘇宿遷
就看發射極箭頭指向啊
急求，npn和pnp 的電流方向 、大小關係。
6樓：匿名使用者
npn 是用 b→e 的電流（ib）控制 c→e 的電流（ic），e極電位最低，且正常放大時通常c極電位最高，即 vc > vb > ve
pnp 是用 e→b 的電流（ib）控制 e→c 的電流（ic），e極電位最高，且正常放大時通常c極電位最低，即 vc < vb < ve
vb 一般都是在中間，vc 和 ve 在兩邊，這跟通常的 bjt 符號中的位置是一致的，可以利用這個幫助你的形象思維和記憶。而且bjt的各極之間雖然不是純電阻，但電壓方向和電流方向同樣是一致的，不會出現電流從低電位處流行高電位的情況。
7樓：沉睡的月光
npn管，集電極電流ic和基極電流ib流入管子。發射極電流ie流出管子。且ic+ib=ie。
pnp管，集電極電流ic和基極電流ib流出管子。發射極電流ie流入管子。同樣ic+ib=ie。
-------------------------------------無論管子是否處於放大狀態，都滿足ic+ib=ie的電流關係。
只在放大狀態下，ic=βib ie=(1+βib)
8樓：汗耕順閔凰
npn管，集電極電流ic和基極電流ib流入管子。發射極電流ie流出管子。且ic+ib=ie。
pnp管，集電極電流ic和基極電流ib流出管子。發射極電流ie流入管子。同樣ic+ib=ie。
-------------------------------------無論管子是否處於放大狀態，都滿足ic+ib=ie的電流關係。
只在放大狀態下，ic=βib
ie=(1+βib)
npn型三極體，由三塊半導體構成，其中兩塊n型和一塊p型半導體組成，p型半導體在中間，兩塊n型半導體在兩側。三極體是電子電路中最重要的器件，它最主要的功能是電流
放大和開關作用。
半導體三極體也稱為晶體三極體，可以說它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開關作用。
三極體顧名思義具有三個電極。二極體是由一個pn結構成的，而三極體由兩個pn結構成，共用的一個電極成為三極體的基極（用字母b表示——b取自英文base，基本(的）、基礎（的）），其他的兩個電極分別稱為集電極（用字母c表示——c取自英文collector，收集）和發射極（用字母e表示——
e取自英文emitter，發射）。
三極體最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的電訊號變成一定強度的訊號，當然這種轉換仍然遵循能量守恆，它只是把電源的能量轉換成訊號的能量。三極體有一個重要引數就是電流放大係數β。當三極體的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流，即集電極電流。
集電極電流隨基極電流的變化而變化，並且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是三極體的放大作用。
三極體內部工作原理
9樓：焦水淼
它的作用是可以用小電流控制大電流——電流放大作用
1、n型半導體：又稱為電子型半導體。在純淨的矽晶體中通過特殊工藝摻入少量的五價元素（如磷、砷、銻等）而形成，其內部自由電子濃度遠大於空穴濃度。
所以，n半導體內部形成帶負電的多數載流子——自由電子，而少數載流子是空穴。n型半導體主要靠自由電子導電。由於自由電子主要由所摻入的雜質提供，所以摻入的五價雜質越多，自由電子的濃度就越高，導電效能就越強。
而空穴由熱激發形成，環境溫度越高，熱激發越劇烈。
2、p型半導體：又稱為空穴型半導體。在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼）而形成，其內部空穴濃度遠大於自由電子濃度，所以，p型半導體內部形成帶正電的多數載流子——空穴，而少數載流子是自由電子。
p型半導體主要靠空穴導電。由於空穴主要由所摻入雜質原子提供，摻入三價的雜質越多，空穴的濃度就越高，導電效能就越強。而自由電子是由熱激發形成，環境溫度越高，熱激發越激烈。
3、pn結及特性：p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。
因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有內建一個由n區指向p區的內電場。由於內電場是由多子建成，所以達到平衡後，內建電場將阻擋多數載流子的擴散，但不能阻止少數載流子。p區和n區的少數載流子一旦接近pn結，便在內電場的作用下漂移到對方。
pn結的單向導電性 外加正向電壓（正偏）：在外電場作用下，多子將向pn結移動，結果使空間電荷區變窄，內電場被削弱，有利於多子的擴散而不利於少子的漂移，擴散運動起主要作用。結果，p區的多子空穴將源源不斷的流向n區，而n區的多子自由電子亦不斷流向p區，這兩股載流子的流動就形成了pn結的正向電流。
外加反向電壓（反偏）：在外電場作用下，多子將背離pn結移動，結果使空間電荷區變寬，內電場被增強，有利於少子的漂移而不利於多子的擴散，漂移運動起主要作用。漂移運動產生的漂移電流的方向與正向電流相反，稱為反向電流。
因少子濃度很低，反向電流遠小於正向電流。當溫度一定時，少子濃度一定，反向電流幾乎不隨外加電壓而變化，故稱為反向飽和電流。
4、擴散和漂移：多數載流子移動時擴散，少數載流子移動時漂移。
5、複合：電子和空穴相遇就會複合，大量的電子-空穴對複合就形成電流。6、空間電荷區：
也稱耗盡層。在pn結中，由於自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動，使pn結中間的部位(p區和n區交介面)產生一個很薄的電荷區，它就是空間電荷區。在這個區域內，多數載流子已擴散到對方並複合掉了，或者說消耗殆盡了，因此，空間電荷區又稱為耗盡層。
p區一側呈現負電荷，n區一側呈現正電荷，因此空間電荷區出現了方向由n區指向p區的內電場。內電場將阻礙多子的擴散，而少子一旦靠近pn結，便在內電場的作用下漂移到對方。pn結正偏時，內電場減弱，有利於多子的擴散而不利於少子的漂移。
pn結反偏時，擴散運動使空間電荷區加寬，內電場增強，有利於少子的漂移而不利於多子的擴散。
7、內電場：pn結附近空間電荷區中，方向由n區指向p區的內電場。內電場對多數載流子起隔離作用，而對少數載流子起導通作用。
8、載流子：可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。金屬中為電子，半導體中有兩種載流子即電子和空穴。
9、少數載流子：p型半導體地少數載流子是自由電子，n型半導體中是空穴。
10、二極體：單向導電性。正偏多數載流子可以通過，反偏少數載流子可以通過。反偏時p型半導體和n型半導體不能提供源源不斷的少數載流子，所以反偏近似無電流。
二、三極體的工藝要求及作用
1、發射區摻雜濃度高：確保發射區中有足夠多的多數載流子——電子，當基極電壓高於發射極的時候，才有足夠多的電子擴散到基極。
2、基區做得非常薄：可以更好的讓基極（p型半導體）中的少數載流子——電子漂移到集電極。
三、工作條件 1、集電極電壓（vc）大於基極電壓（vb），基極電壓（vb）稍高於發射極電壓（ve）。即：vc>vb>ve，其中vb一般高於ve為0.
7v；vc常見電壓比ve高12v。這樣就使得集電結反偏，發射結正偏。
2、如要取得輸出必須加負載電阻。
四、三極體的工作原理 **如右：
五、關於三極體的問題 1、集電極（c極）處於反偏狀態，為什麼還有電流通過？ 答：pn結正偏情況下是利於「多數載流子」通過，而反偏則利於「少數載流子」通過，對於基極（b極）來說，它的少數載流子是電子，而當基極電壓高於發射極，有電流注入時，發射結正偏導通，發射區向基區擴散大量電子。
這些電子在內電場的作用下漂移到c極。從三極體外部看來，電流能通過反偏的集電結，其實，要分清楚「多子」、「少子」的區別。p型半導體的多子是空穴，少子是自由電子；n型半導體的多子是自由電子，少子是空穴。
2、為什麼集電極要加上很高的電壓？ 答：電壓高能使集電結的內電場更強，作用在少子上的力
更大，有利於少子、尤其是從基區漂移到發射區的電子；同時阻止多子的通過。
3、為什麼基區要做得很薄？
答：因為少子越貼近內電場，就越容易受其作用漂移到pn結對面。如果做得太厚，那進入基區的電子就不能很好地受內電場的作用，不能很好地漂移到集電區，所以要從生產工藝上把它做得很薄，厚度一般在幾個微米至幾十個微米。
4、為什麼發射區的摻雜濃度最高？
答：發射區摻雜濃度高才有更多的多數載流子，p型半導體中的多子是空穴，而npn型半導體的發射區是n型半導體，摻雜濃度高使其有更多的自由電子，這樣在基極和發射極的電壓差（基極高於發射極）作用下，才有更多電子擴散到基區。假設發射區的摻雜濃度和基區濃度相同，那麼擴散到基區的電子絕大多數會跟基區的空穴進行復合掉，電流的放大能力下降。
5、放大倍數β如何確定？
答：在生產過程中，控制基區的厚度和各個區的摻雜濃度，就能生產出不同放大倍數β的三極體。 6、基極（b極）小電流如何控制集電極大電流？
答：當基極沒有電流的時候，集電結幾乎沒有電子通過；基極電流慢慢增大時，集電結在正偏電壓作用下，多子逐漸激烈地向基區擴散。由於基區摻雜濃度低，擴散到集電區的多子少，需要外部注入的電流小。
發射區摻雜濃度高，擴散到基區的多子多，需要外部注入的電流大。放大倍數跟基區厚度、發射區摻雜濃度成正比。發射極跟基極複合的電子非常少，主要被集電結的內電場拉到集電區，集電極電流近似於發射極電流。
外部注入基極電流越大，發射區到基區的電子擴散就越激烈，漂移到集電區的電子也越多。在三極體的外部看來，發射極電流和集電極電流也急劇增大。
7、用兩個二極體可否焊接成一個三極體？
答：雖然兩個二極體能結成一個npn或pnp型的三極體，但其內部矽晶體的摻雜濃度不同於三極體，再者「基極」沒能做得很薄，漂移過「集電結」的少子相當少（不是沒有），因此發射極中的載流子幾乎不能到達集電結。
三極體的電流方向在三極體中NPN和PNP的電流流向
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