1樓:煚南城舊夢
1) 矽二抄極管反向電流比bai鍺二極體反向電流小du的多,鍺管為ma級,矽管為na級。這zhi是因為在相同溫dao度下鍺的ni比矽的ni要高出約三個數量級,所以在相同摻雜濃度下矽的少子濃度比鍺的少子濃度低的多,故矽管的反向飽和電流is很小。
2) 在正向電壓很小時,通過二極體的電流很小,只有正向電壓達到某一數值ur後,電流才明顯增長。通常把電壓ur稱為二極體的門限電壓,也稱為死區電壓或閾值電壓。由於矽二極體的is遠小於鍺二極體的is,所以矽二極體的門限電壓大於鍺二極體的門限電壓。
一般矽二極體的門限電壓約為0.5v~0.6v, 鍺二極體的門限電壓約為0.
1v~0.2v。
2樓:
開啟電壓,抄
一般稱為導通電壓。半導體器件導通時,要求pn結上必須施加正向電壓(p正n負)值,這是因為pn結內部由於載流子的擴散和複合,pn結在p型半導體側只有被束縛的負電荷,在n型半導體側只有被束縛的正電荷,形成了一個空間電荷區,自然構成一個由n指向p的內建電場。該電場強度與本徵載流子濃度成相反函式關係,鍺材料由於原子半徑大,束縛外圍電子能力差,因而本徵載流子濃度大於矽材料,導致內建電場強度小於矽。
若想要pn結導通,外施正向電壓形成的場強大小必須首先要能夠克服該內建電場,對於矽材料,克服該電場需要0.6-0.8伏,對於鍺材料克服該電場需要0.
1-0.3伏。這就是矽管開啟電壓大的原因了。
3樓:匿名使用者
結電壓0.7,高於鍺0.3
4樓:寧靜d似水
半導體材料特性決定的。
矽管比鍺管應用廣泛的原因是什麼?請各位大俠幫幫忙..
5樓:匿名使用者
矽這種元素在地球的含量比鍺在地球的含量多很多。生產矽的材料要比生產鍺的材料便宜也容易找到
矽穩壓二極體與一般二極體不同的是,穩壓二極體工作在反向擊穿區
穩壓二極體是利用pn結反向擊穿特性所表現出的穩壓效能製成的器件。穩壓二極體也稱齊納二極體或反向擊穿二極體,在電路中起穩定電壓作用。它是利用二極體被反向擊穿後,在一定反向電流範圍內反向電壓不隨反向電流變化這一特點進行穩壓的。穩壓二極體通常由矽半導體材料採用合金法或擴散法制成。它既具有普通二極體的單向導...
二極體的正向導通電壓,二極體的導通電壓是什麼意思
開啟電壓是剛開使導通時的正向電壓 電流很小 正向導通電壓是額定工作電流時的正向電壓。開啟電壓低於正向導通電壓。二極體又稱晶體二極體,簡稱二極體 diode 另外,還有早期的真空電子二極體 它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極體內部有一個pn結兩個引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,...
請詳細說明二極體的管壓降和門坎電壓的區別
一 概念不同 二極體道統之前相當於一個電容,這時有門檻電壓這個概念。二極體導通之後相當於一個小電阻,這時有管壓降這個概念。二 定義不同 門檻電壓 是二極體正向導通的起始電壓 導通壓降和管壓降 二極體正向導通時自身壓降 三 意義不同 管壓降是指二極體導通之後,二極體兩端的電壓差。門檻電壓是指二極體剛好...