場效電晶體的柵極要加多大的電壓漏極和源極之間才能導通

2021-03-18 01:46:36 字數 2256 閱讀 2819

1樓:太史苑傑寇意

測量的時候g極加了電壓,所以它導通了,短路一下g,s極,再測d,s正向就不通了,反向有個二極體是通的

2樓:董事長老豆

耐壓越高的管子usg就越高, 從5v左右到20v(18v)都有。

3樓:坐看花開花落

開啟電壓,gth,至於具體多大,都不一樣

mos管柵極和源級之間的關係?如下圖!!!坐等

4樓:牛角尖

圖中只有源極2與漏極3之間存在一個二極體,柵極1與源極之間並沒有二極體。

你大概把那個表示「p溝道」的箭頭符號看成二極體了。箭頭衝上指,表示p溝道,箭頭衝柵極方向指,表示n溝道,並不表示二極體。

5樓:匿名使用者

還有你說的mos管導來通其自實與柵極沒有多大關係,柵極加電壓只是開啟導電溝,也就是柵極就是閥門。高電壓開低電壓關。漏源之間並聯的二極體時寄生二極體,有的大功率mos管自身攜帶,由工藝決定。

不是人為製作,你就看做事他具備這個特性。有的mos管沒有這個寄生二極體的。

6樓:love小樂麼

sorry,我布吉島

7樓:匿名使用者

我覺得,你這個電路是不是防反電路?

如果可以的話,應該看看前後級電路。

電子高手請進!這個n溝道mos管為什麼源極和漏極之間是導通的?這時候柵極和源極間沒有電壓啊 而且一 20

8樓:igbt保護

首先把三個極短接一下,把柵極電壓洩放了,然後測漏源兩極,正表筆接漏極,負表筆接源極好的應該不通,再反接測量,通了是因為內部有保護(防反壓擊穿)二極體!

9樓:bd邱宇航

場管輸入阻抗極高,懸空時就可感應周圍電場而導通,

一旦導通,g極懸空時,其gs結電容無法洩放而繼續維持導通一段時間……

10樓:匿名使用者

有的大功率管在源極和漏極之間反向並聯了一個二極體,

11樓:匿名使用者

這就是個三極體而已,三極體本來就是二極體的組合,本來就可以當整流電阻使用的好不?

12樓:匿名使用者

你根本沒有把情況描述清楚!時漏源與源漏之間都是導通?還是隻是源漏導通?還有你說的50左右測得是說的引數是什麼單位??

為什麼場效電晶體柵極沒訊號的時候漏極和源級導通?

13樓:happy言欷

as短接,led滅是正常的。

當a(就是g極)懸空時,由於場效電晶體柵極極高的輸入阻抗,會引入靜電以及電場干擾從而導致ds導通。一般在應用時,gs之間要加一個電阻,防止柵極懸空引起錯誤動作。

當a(就是g極)懸空時,由於場效電晶體柵極極高的輸入阻抗,會引入靜電以及電場干擾從而導致ds導通。一般在應用時,防止柵極懸空引起錯誤動作,gs之間要加一個電阻

s短接,led滅是正常的。

當a(就是g極)懸空時,由於場效電晶體柵極極高的輸入阻抗,會引入靜電以及電場干擾從而導致ds導通。一般在應用時,防止柵極懸空引起錯誤動作,gs之間要加一個電阻

你在g、s之間並聯上一個洩放電阻就會正常了,哪怕是幾m歐的高阻值電阻都有效mosfet柵極輸入阻抗極高,基本沒有漏電電流,因此50hz交流電的感應電壓足以讓它導通(半周)

場管不能說是npn或是pnp,只能用n型或p型來簡稱.

場管還分增強型和耗盡型.此外,它的輸入阻抗非常非常之高.這兩個條件都可能造成你說的現象.

as短接,led滅是正常的。

當a(就是g極)懸空時,由於場效電晶體柵極極高的輸入阻抗,會引入靜電以及電場干擾從而導致ds導通。一般在應用時,gs之間要加一個電阻,防止柵極懸空引起錯誤動作。

mos管一般的開啟電壓在2-4v,為保證可靠的完全導通,需要5v以上。最多不能超過20v。

g極串一個5-20k電阻(需要考慮10k電阻分壓),接12v正極,就可以導通了

14樓:

mosfet柵極輸入阻抗極高,基本沒有漏電電流,因此50hz交流電的感應電壓足以讓它導通(半周),你在g、s之間並聯上一個洩放電阻就會正常了,哪怕是幾m歐的高阻值電阻都有效。

15樓:匿名使用者

場管不能說是npn或是pnp,只能用n型或p型來簡稱.

場管還分增強型和耗盡型.此外,它的輸入阻抗非常非常之高.這兩個條件都可能造成你說的現象.

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