1樓:匿名使用者
bt137是雙向可控矽,導通後只要電流不小於它的維持值時會一直導通的,與g極電壓無關。只有電流小於維持值時,才會關斷,關斷後它的再次導通就要受到g極電壓控制。
2樓:匿名使用者
雙向可控矽應該是過零驅動的!
3樓:安全護航
要想將其截止,g的電平一定要低於某個值(視具體管子定),直接給電壓,低電平時可能無法達到低電平值,從而無法截止。驅動方法還有用低電平值低於它的要求的cmos積體電路。
雙向可控矽,如bt137,136等,到底是通過g極的電壓還是電流的大小來控制導通角的?
4樓:砸碎鐵飯碗
你好:——★1、可控矽是電流控制器件,導通角度由觸發電流驅動的。
——★2、可控矽是電流觸發、導通的。而電壓也會影響電容器的充電時間,影響導通角度。但是,使可控矽導通的關鍵因素是(觸發)電流。
5樓:匿名使用者
可控矽是電流觸發進行導通的元件,也就是在控制極有一定值的電流時,它便會版導通!可是沒有電壓哪權
來電流呢?所以,具體工作中都是通過改變控制極脈衝電壓出現的時間(不是電壓的大小,一般在5v左右)來控制它的通/斷時間(導通角大小),從而在可控矽中便有不同的平均電流流過。你圖一中是用模組控制週期性輸出脈衝電壓。
圖二是通過手動改變變阻器來改變電容c1的存電時間,也就是電容上端的脈衝電壓出現時間來控制可控矽的g極。
npn型mos管是高電平導通,為什麼g極電壓比s極電壓低時導通,反而稱作高電平導通? 5
6樓:匿名使用者
從來沒有npn型mos管這種說法。mos只有nmos和pmos兩種。npn和pnp是三極體的說法。
nmos的g=0.5v,s=5v,d=0v,這種說法也是錯誤的。這個時候s和d已經互換。如果vt低於0.5v,此時nmos導通。
需要指出的是,只有對稱型的mos才允許s和d互換。
mos管導通電壓大小是多大啊?為什麼mos管需要柵極驅動電路,而類似的三極體不需要呢?
7樓:匿名使用者
mos管是由電壓驅動的,但mos管gs極之間有個小「電容」,給這個電容充電需要一定的時間,原則上充電過程越快越好,慢了會使mos管發熱,嚴重了會直接燒壞。柵極驅動電路的作用就是使「電容」更快充電,使mos管導通或關斷速度更快。
大功率三極體也需要電流驅動電路啊,提供三極體導通所需的基極電流。
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