1樓：手機使用者
本科？，我一個技校生也在學這個。，，學習階段的確需要堅持
晶片測試的面臨問題
2樓：人生如夢
此外，測試軟體也面臨著深亞微米工藝和頻率不斷提高所帶來的新的測試問題。過去測試靜態阻塞故障的atpg測試模式已不再適用，在傳統工具上新增功能模式卻難以發現新的故障。較好的方式是，對過去的功能模式組進行分類以判斷哪些故障無法檢測，然後建立atpg模式來捕獲這些遺漏的故障型別。
隨著設計容量的增大以及每個電晶體測試時間的縮短，為了找到與速度相關的問題並驗證電路時序，必須採用同步測試方法。 同步測試必須結合多種故障模型，包括瞬變模型、路徑延遲和iddq。
業界一些公司認為，將阻塞故障、功能性故障以及瞬變/路徑延遲故障結合起來也許是最為有效的測試策略。對深亞微米晶片和高頻率工作方式，瞬變和路徑延遲測試則更為重要。
要解決同步測試核心時的ate精度問題，並降低成本，就必須找到一種新的方法，這種方法能簡化測試裝置的介面 (瞬變和路徑延遲測試要求測試裝置介面處時鐘準確)，同時能保證測試期間訊號有足夠的精確度。
由於soc記憶體塊中極有可能存在製造缺陷，因此儲存器bist必須具備診斷功能，一旦發現問題，存在缺陷的地址單元就可以對映到備用地址單元的冗餘記憶體，檢測出的故障地址將放棄不用，避免捨棄整個昂貴的晶片。
對小型嵌入式記憶體塊進行測試，無需另加閘電路或控制邏輯。例如，向量轉換測試技術可將功能模式轉換為一系列的掃描模式。
與bist方法不同，旁路記憶體塊的功能輸入不需要額外的邏輯電路。由於不需要額外的測試邏輯，soc開發工程師可複用過去形成的測試模式。
高階atpg工具不僅能並行測試巨集而且能夠確定是否存在衝突，以及詳細說明哪些巨集可並行測試，哪些巨集為什麼不可以並行測試。此外，即使巨集時鐘與掃描時鐘相同(如同步儲存器)，這些巨集也可得到有效測試。
晶片功能的常用測試手段或方法幾種? 5
3樓：zzx梓
1、軟體的實現
根據「成電之芯」輸入激勵和輸出響應的資料對比要求，編寫了可綜合的verilog**。**的設計完全按照「成電之芯」的時序要求實現。
根據基於可程式設計器件建立測試平臺的設計思想，功能測試平臺的構建方法如下：採用可程式設計邏輯器件進行輸入激勵的產生和輸出響應的處理；採用rom來實現dsp核程式、控制暫存器引數、脈壓係數和濾波係數的儲存；採用sram作為片外快取。
2、 硬體的實現
根據功能測試平臺的實現框圖進行了原理圖和pcb的設計，最後設計完成了一個可對「成電之芯」進行功能測試的系統平臺。
4樓：好可憐地人兒
下面以一種系統晶片的功能測試為例
一、【功能測試平臺的構建】
(本設計的功能測試主要採用基於可程式設計器件建立測試平臺。)
「成電之芯」主要有以下幾類介面：36位的輸入訊號匯流排input，用來為晶片提供初始輸入激勵；32位的初始化資料匯流排initial_bus，用來為晶片提供dsp核程式、控制暫存器引數、脈壓係數和濾波係數；48位的片外快取資料匯流排iq1和iq2，用於將脈衝壓縮的結果傳送到片外快取；28位的求模或取對數輸出匯流排log_out，用於輸出脈衝壓縮或濾波運算後的求模或取對數結果；56位的濾波結果輸出fir_i_out(28位)、fir_q_out(28位)，用於輸出mti或mtd處理後的結果；16位的hd資料匯流排，用於輸出dsp核處理後的結果。
根據基於可程式設計器件建立測試平臺的設計思想，功能測試平臺的構建方法如下：採用可程式設計邏輯器件進行輸入激勵的產生和輸出響應的處理；採用rom來實現dsp核程式、控制暫存器引數、脈壓係數和濾波係數的儲存；採用sram作為片外快取。基本測試框圖如圖3所示。
根據「成電之芯」的要求，晶片需要外部提供136 k 32bit的儲存空間為其提供脈壓係數和濾波係數，同時需要其它的一些儲存空間為晶片儲存片外的dsp核程式和控制暫存器。
由於做mtd濾波時，每個相參處理間隔的資料量最大為2m深度，所以片外必須準備兩片深度為2m，資料寬度為48位的sram作為晶片的片外快取。
除此之外，晶片需要外界輸入資料和控制訊號，並且需要接收晶片的輸出資料。這部分的功能可通過可程式設計邏輯器件來完成。
通過以上分析，ccomp晶片功能測試平臺選用了兩片sst39vf3201來做它的片外初始化儲存器、6片gs832018來做它的片外快取、一片xc3s5000來產生它的時序控制訊號以及和外部介面的控制邏輯、兩片mt48lc4m32用做它的輸出快取、兩片sst39vf3201來做它的輸入資料儲存器，另外還選用了一個ad和一個da晶片來實現與外界的資料通訊。實現框圖如圖4所示。
二、【 測試平臺的實現】
1軟體的實現
根據「成電之芯」輸入激勵和輸出響應的資料對比要求，編寫了可綜合的verilog**。**的設計完全按照「成電之芯」的時序要求實現。
2 硬體的實現
根據功能測試平臺的實現框圖進行了原理圖和pcb的設計，最後設計完成了一個可對「成電之芯」進行功能測試的系統平臺。實物圖如圖5所示。
5樓：匿名使用者
手動，或是量大用裝置
晶片要怎麼測試 5
6樓：匿名使用者
晶片測試bai包含
基本功能du測試，晶片是什麼用途zhi，就測試功能是否實現dao電氣效能測
回試，就是各種輸入輸出的邊答界範圍，延遲，頻率響應特性等安全測試， 就是hi-pot高電壓衝擊測試環境安全可靠性測試，溫度溼度，衝擊振動等
老化壽命測試
機械效能測試， 就是引腳
焊接效能測試
具體測試方法
不能一概而論，而是參照相應的產品標準和規範，採用合理的儀器和方法，由合格上崗的實驗人員實施測試。測試實驗室要取得國際認證。
7樓：喜悅之風
你好，有一種是利用伽馬射線的穿透力來檢測晶片內部工藝水平的。看是否有裂縫，氣泡等物理瑕疵。
8樓：深圳凱智通
我們公司就是生產和研發晶片測試治具的，凱智通
很經典的晶片測試題，當智力測試做一做吧。
9樓：菜青小
感覺答案沒
bai問題呀 lz**不du清楚？
解釋下答案zhi第一步 所做之後dao為什麼好晶片版依舊比壞晶片多吧權：
假設有m個好晶片 n個壞晶片 （m>n）
兩兩比較只有三種情況 好好比較 好壞比較 壞壞比較
假設有a個好晶片與a個壞晶片進行的好壞比較 那麼剩下的晶片都是好好 或 壞壞比較：
好壞比較的結果不是 好壞 就是 壞壞 肯定這2a個晶片都被棄掉了
好好比較的晶片棄掉了一半 則好晶片剩餘個數：m'=(m-a)/2
壞壞比較的晶片至少棄掉一半（根據規則 2個晶片比較要麼棄掉1個 要麼棄掉2個）
所以壞晶片剩餘個數：n'<=(n-a)/2
m'=(m-a)/2>(n-a)/2>=n' 即 m'>n' 所以比較之後好晶片依舊比壞晶片多
後面lz還有**不清楚的？
10樓：匿名使用者
這個回答當然是bai不對的，因
du為題設已經出了zhi，好晶片比壞芯
片多，dao那麼其中好晶片專至少有1001塊，屬壞晶片最多有999塊，而題目的要求是找出一片好晶片就夠了，最背的情況下，就是我挑出的前999塊都是壞的，但是這樣的話，第1000塊就肯定是好的。前999次我需要比對998次，而第999次比較時，我就能保證其中比較好，那麼那塊好的就是我要的，所以，只要999次就夠了。
11樓：匿名使用者
求次數上限的意思是在n次內一定能找出好晶片的方法嗎？
如果存在某一個壞晶片，它在n次中每次比較的隨機結果都和好晶片表現的一樣，那麼你無法排除此晶片，依然存在選錯的可能。
12樓：水鏡
樓主第四步表達不夠精準，應該是如果有一半「以上」將此晶片判為好晶片，則說明此晶片為好晶片。否則有必須是一半的歧義。
晶片測試的準備規劃
13樓：蘿莉の摯愛
為soc裝置所做的逐塊測試
規劃必須實現：正確配置用於邏輯測試的atpg工具；測試時間短；新回型高速故障模型以及
答多種記憶體或小型陣列測試。對生產線而言，診斷方法不僅要找到故障，而且還要將故障節點與工作正常的節點分離開來。此外，只要有可能，應該採用測試複用技術以節約測試時間。
在高整合度ic測試領域，atpg和iddq的可測試性設計技術具備強大的故障分離機制。
需要提前規劃的其他實際引數包括：需要掃描的管腳數目和每個管腳端的記憶體數量。可以在soc上嵌入邊界掃描，但並不限於電路板或多晶片模組上的互連測試。
儘管晶片尺寸在不斷減小，但一個晶片依然可封裝幾百萬個到上1億個電晶體，測試模式的數目已經增加到前所未有的程度，從而導致測試周期變長，這一問題可以通過將測試模式壓縮來解決，壓縮比可以達到20%至60%。對現在的大規模晶片設計，為避免出現容量問題，還有必要找到在64位作業系統上可執行的測試軟體。
14樓：匿名使用者
想知道器件的***壞，這個要選擇什麼樣的測試呢？一般在這種要求下，絕大多專
關於測試燈泡的智力問題，關於測試燈泡的一個智力問題
01.題目難度 簡單 一個獵人帶著一隻羊，一隻狼和一棵白菜回家，路上遇到一條河。河邊只有一條船，但船太小，一次最多隻可載獵人和另一樣東西過河。但獵人不在時，狼要吃羊，羊要吃白菜。請問怎樣才能把狼，羊，白菜都安全運過河？第一題 先把羊運過去,獵人回來.在把狼運過去,獵人抱羊回來,在抱白菜過去,獵人回來...
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俯臥撐100 天 仰臥起坐100 天 我保證腹部脂肪消失很快，都變成肌肉 不會三分二十秒之內的 跳繩是最好的方法 還有兩年 慢慢練肯定行的 喝紅牛 其實中考體育成績根本不考慮 放心吧 其實不用 只要體育課認真 不偷懶雙休日打打球 做做運動就行了 每天至少跑1000 伸蹲50 俯臥撐5個就足夠足夠了 ...
關於小兒聽力測試
你做的應該是abr檢查 是客觀性指標 一般用於小兒或者是睡眠狀態的人 主要是看聽力損失在哪一部分 1,3,5波的意義比較大 建議到五官科找聽力學的醫生看 這是很專業的檢查 右耳 刺激強度 80db 潛伏期i 1.60 iii 3.83 6.28闕值 20db 左耳 刺激強度 80db 潛伏期i 1....