1樓：匿名使用者
當然可以了。但是相應你的驅動電流也是要注意的。
現在的三極體放大倍內
數一般在100多，如果單管容放大那麼你的b極電流需要30ma大功率三極體很多的。。
2sd1427 n1500v 5a
2sd1431 n1500v 5a
都可以。
2樓：匿名使用者
3dd15系列就可以達到，但是三極體要求的工作電流很最大電流不一樣，電子器件一旦過流很容易壞，所以你最好找額定電流大很多的元件，具體要求相關的書籍上有啊，你去看看資料吧
3樓：我是你的小夥伴
當然可以.電晶體有大功率的,型號分類很多,不知道你做何用途,不好說具體型號。
我求一個200ma訊號電流用三極體放大器放大2-3a電流帶繼電器的電路圖那位高手請幫忙謝！
4樓：匿名使用者
用光電開關的bai輸出訊號通過一個電
du阻（3k~10k）接zhi到三極體的基極，dao然後三極體的內集電極接繼電器的容線圈一端，線圈出來這端接電源正極，三極體發射極接電源地，即負極。電源電壓為繼電器線圈所表明的電壓，一般為12v或24v，這要根據繼電器的線圈標準提供合適的電源。
5樓：匿名使用者
一般的小繼電器200ma,已經足夠了,繼電器還有一個指標就是電壓.
如果最終繼電器電流不交內大,可以用一個容小繼電器驅動一個大繼電器.
用**管也可以,同樣也要考慮電壓.
另外2-3a電流也不小了,要注意三極體的引數.
三極體放大的條件是什麼？
6樓：babyan澀
當加在三極體發射
結的電壓大於pn結的導通電壓，並處於某一恰當的值時，三極體的發射結正向偏置，集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極體具有電流放大作用，其電流放大倍數β＝δic/δib，這時三極體處放大狀態。
7樓：匿名使用者
三極體能夠放大訊號必須具備一定的外部條件，即給三極體的發射結加正向電壓（習慣稱正向偏置或正偏），集電結加反向電壓（習慣稱反向偏置或反偏）。三極體的主要應用分為兩個方面。一是工作在飽和與截止狀態，用作電晶體開關；二是工作在放大狀態，用作放大器。
放大區:此時ic=
8樓：匿名使用者
1 三極體的結構和分類
其共同特徵就是具有三個電極，這就是「三極體」簡稱的來歷。通俗來講，三極體內部為由p型半導體和n型半導體組成的三層結構，根據分層次序分為npn型和pnp型兩大類。
上述三層結構即為三極體的三個區, 中間比較薄的一層為基區，另外兩層同為n型或p型，其中尺寸相對較小、多數載流子濃度相對較高的一層為發射區，另一層則為集電區。三極體的這種內部結構特點，是三極體能夠起放大作用的內部條件。
三個區各自引出三個電極，分別為基極（b） 、發射極（e）和集電極（c）。
如圖b所示，三層結構可以形成兩個pn結，分別稱為發射結和集電結。三極體符號中的箭頭方向就是表示發射結的方向。
三極體內部結構中有兩個具有單向導電性的pn結，因此當然可以用作開關元件，但同時三極體還是一個放大元件，正是它的出現促使了電子技術的飛躍發展。
2 三極體的電流放大作用
直流電壓源vcc應大於vbb，從而使電路滿足放大的外部條件：發射結正向偏置，集電極反向偏置。改變可調電阻rb，基極電流ib，集電極電流ic 和發射極電流ie都會發生變化，由測量結果可以得出以下結論：
（1） ie ＝ ib ＋ ic ( 符合克希荷夫電流定理）
（2） ic ≈ ib ×? （ ?稱為電流放大係數，可表徵三極體的電流放大能力）
（3）△ ic ≈ △ ib ×?
由上可見，三極體是一種具有電流放大作用的模擬器件。
3 三極體的放大原理
以下用npn三極體為例說明其內部載流子運動規律和電流放大
原理，1、發射區向基區擴散電子：由於發射結處於正向偏置，發射區的多數載流子（自由電子）不斷擴散到基區，並不斷從電源補充進電子，形成發射極電流ie。
2、電子在基區擴散和複合：由於基區很薄，其多數載流子（空穴）濃度很低，所以從發射極擴散過來的電子只有很少部分可以和基區空穴複合，形成比較小的基極電流ib，而剩下的絕大部分電子都能擴散到集電結邊緣。
3、集電區收集從發射區擴散過來的電子：由於集電結反向偏置，可將從發射區擴散到基區併到達集電區邊緣的電子拉入集電區，從而形成較大的集電極電流ic。
4 三極體的輸入輸出特性
三極體的輸入特性是指當集-射極電壓uce為常數時，基極電流ib與基-射極電壓ube之間的關係曲線。
對矽管而言，當uce超過1v時，集電結已經達到足夠反偏，可以把從發射區擴散到基區的電子中的絕大部分拉入集電區。如果此時再增大uce ，只要ube保持不變（從發射區發射到基區的電子數就一定）， ib也就基本不變。就是說，當uce超過1v後的輸入特性曲線基本上是重合的。
由圖可見，和二極體的伏安特性一樣，三極體的輸入特性也有一段死區，只有當ube大於死區電壓時，三極體才會出現基極電流ib。通常矽管的死區電壓約為0.5v，鍺管約為0.
1v。在正常工作情況下，npn型矽管的發射結電壓ube為0.6～0.
7v，pnp型鍺管的發射結電壓ube為-0.2～ -0.3v。
三極體的輸出特性是指當基極電流ib一定時，集電極電流ic與集-射極電壓uce之間的關係曲線。在不同的ib下，可得出不同的曲線，所以三極體的輸出特性是一組曲線。通常把輸出特性曲線分為三個工作區：
1、放大區：輸出特性曲線的近於水平部分是放大區。在放大區, ic ＝ ib ×?
,由於在不同ib下電流放大係數近似相等，所以放大區也稱為線性區。**管要工作在放大區，發射結必須處於正向偏置，集電結則應處於反向偏置，對矽管而言應使ube>0，ubc<0。
2、截止區： ib ＝ 0的曲線以下的區域稱為截止區。實際上，對npn矽管而言，當ube＜0.
5v時即已開始截止，但是為了使三極體可靠截止，常使ube≤0v，此時發射結和集電結均處於反向偏置。
3、飽和區：輸出特性曲線的陡直部分是飽和區，此時ib的變化對 ic的影響較小，放大區的?不再適用於飽和區 。在飽和區， uce＜ube，發射結和集電結均處於正向偏置。
9樓：匿名使用者
樓上貌似是說錯的。
三極體有三個電極（e、b、c），構成了兩個pn結（發射結、集電結）所以放大條件的標準說法是：發射結（b-e之間）正偏，集電結（b-c）反偏。而不是一樓所說的那樣。
正偏，反偏都是針對pn結而言，電極沒有正偏反偏一說。
所謂的正偏就是，pn結加正向電壓，即p區電壓要高於n區，如果正向電壓高於一定程度就可以形成正向導通。而反偏剛好反過來，pn結加反向電壓，n區電壓高於p區，pn結在這個時候通常顯示出截止特性。
10樓：匿名使用者
三極體放大的基本條件是：集電極反偏，發射極正偏
11樓：王梓慧
加的電壓大於開啟電壓（一般取0.7v）
be電壓大於0.7
ce電壓大於be
12樓：匿名使用者
集電極電位大於基極電位
13樓：匿名使用者
三極體工作在放大狀態的內部條件是製造時使基區薄且摻雜濃度低，發射區的摻雜濃度遠大於集電區。 外部條件是發射結正偏，集電結反偏。
如有疑問可以借一本電工電子技術 來細看一下。
14樓：許願樹下的少年
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