1樓：匿名使用者
1. 用電子束（e-beam lithography），好處是精度極高，目前實驗室級別的e-beam最小可以寫到1奈米，不需要mask。但是因為精度高，所以寫**的時候速度會很慢。。
2. micro-printing（類似於刻字印刷那種樣子~），不是太瞭解，實驗室不怎麼用這個，精度貌似不是很好
3. 鐳射（laser lithography），好處是不需要mask，直接往resist上寫，因為精度不如e-beam好，所以pattern都比較大，因此速度快。
我當你說的光刻半導體工藝是傳統用紫外燈做的photo-lithography了哈~
4. 傳統光刻（photo-lithography），這個其實速度也是很快的，實際的**時間只有幾秒甚至更少。一般對精度要求不高的**我們都用這個寫。
唯一缺點是每一個新的設計都要重新做一個mask。
2樓：怪刀亂魔
主流的還是你說的光刻photolithography，屬於光投影，需要用掩膜mask。正在研究中的還沒有量產化的除了一樓說的那個種，還有奈米壓印（不屬於光投影），需要製作模具（stamp，template）。微接觸印刷（micro-contact printing）屬於奈米壓印，成像原理是基板表面形成自組裝膜（sam），但是相關的問題還比較多。
光刻和刻蝕有什麼區別？
3樓：
這兩個詞是半導體工藝中的重要步驟，需要配合剖面圖講解，最好自己找本半導體工藝的書看。
「光刻」是指在塗滿光刻膠的晶圓（或者叫矽片）上蓋上事先做好的光刻板，然後用紫外線隔著光刻板對晶圓進行一定時間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質，易於腐蝕。
「刻蝕」是光刻後，用腐蝕液將變質的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導體器件及其連線的圖形。然後用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導體器件及其電路。
建有流水線的商家有，海力士，華潤等等。有興趣可以網上的半導體技術交流論壇看看。
什麼是光刻技術？
4樓：啊呀王
光刻技術是積體電路製造中利用光學-化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形視窗或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到應用電子束、x射線、微離子束、鐳射等新技術；使用波長已從4000埃擴充套件到0.1埃數量級範圍。
光刻技術成為一種精密的微細加工技術。
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