1樓:匿名使用者
1)iceo是當基極b開路時,在ce端接正向電壓所得一恆定(當溫度一定)電流,名曰穿透電流。
2)lcbo是當發射極開路,cb端接反向電壓所得恆定(當溫度一定)電流,名曰集電結反偏電流。
3)lceo產生原因:當vce為正電壓,電勢主要加在集電結上,這使得集電結反向偏置,從而會在集電結兩端產生漂移電荷qcb,飄移電荷漂移至基區使得基區電勢提升。當電荷積累到一定程度,會使得發射結正向偏置電壓高到足以導通發射結,此時發射區電子擴散至基區,(基區的部分空穴擴散至發射極在此忽略,不忽略也不影響最終關係)少部分電子與空穴複合,而大部分電子飄移至極電區,它們兩之間的數量比近似為1:
β。則有βqcb的電子穿越集電結。設這一過程用時為t
則iceo=(1+β)qcb/t,而飄移速率qcb/t基本恆定,且等於lcbo。
所以lceo=(1+β)lcbo
2樓:匿名使用者
ic=iceo稱為穿透電流,常溫時iceo約為幾微安,鍺管約為幾十微安至幾百微安,它與集電極反向電流icbo的關係是: icbo=(1+β)icbo
三極體中的icbo和iceo是什麼?什麼事反向電流?求詳細。 5
3樓:
icbo:發射極開路,集電極和基極正向額定電流!
iceo:基極開路,集電極和發射極正向額定電流!
反向電流是指電晶體在截止狀態下反方向漏電電流!
4樓:妄了想起
icbo集電結反向飽和電流,iceo集電極發射極反向飽和電流。要想詳細的瞭解還是多看幾遍模電書吧。
三極體中的穿透電流即iceo是怎樣產生的?產生的原因是什麼?
5樓:hh啊
穿透電流就是指三管極b極開路時(即ib=0),ic並不等於0,c-e兩極間的漏電流iceo。這個電流主要是由三極體的少子(一般少數載流子簡稱少子)產生的。由於雙極型三極體的i是由電子和空穴兩種載流子產生的。
由於少子數量受溫度、輻射影響較大,故雙極型三極體有穿透電流這個指標。三極體手冊中的iceo就是指穿透電流。對於矽管來說,其iceo大小一般都在na級,可以忽略不計。
對於鍺管,iceo一般較大,可達μa級
6樓:匿名使用者
穿透電流是晶體三極體基極未加正向偏壓或開路時 流過集電極-發射極的電流與電晶體的反向電阻和溫度有關 稱作iceo .
而且,晶體三極體的穿透電流的大小隨溫度的升高而升高.
通過測試iceo的大小,就可以判斷出三極體***壞。iceo大的管子電流損耗大,溫度易升高,工作不穩定。iceo越小越好。
在常溫下,小功率鍺管的iceo一般在幾百微安以下,小工率矽管在幾微安以下。
三極體的iceo大,說明改三極體的什麼?
7樓:創意電子diy分享
iceo就是三極體的穿透電流,此電流是由三極體內部少數載流子產生的,這個少數載流子受溫度影響很大,會隨著溫度升高而劇增,故三極體的iceo越大,管子的熱穩定性就越差。
三極體的iceo為什麼可以判斷三極體質量?
8樓:匿名使用者
iceo=是指集電極發射極反向電流(又叫穿透電流
)。通過測試集射反向電流回的大小,就可以判答斷出三極體***壞。iceo大的管子電流損耗大,溫度易升高,工作不穩定。
iceo越小越好。在常溫下,小功率鍺管的iceo一般在幾百微安以下,小工率矽管在幾微安以下。
9樓:匿名使用者
三極體的
來iceo是在基極沒有注源入的情況下的bai電流。這是穿透電流,
du嚴格地說這是漏電zhi流,三極體dao的***壞最重要的是pn結***壞。工藝質量不高,最突出的表現就是pn結有漏電流。漏電流大三極體的iceo就大。
所以三極體的iceo大小就反映了三極體質量的好壞。
關於三極體iceo的問題。
10樓:匿名使用者
icbo的存在是因為來bc間的pn結在反偏時存在著源
漏電(可以把它看bai成在理想的三du
極管的zhib、c之間接了一個電阻)dao。在右圖電路中三極體所加偏壓滿足放大狀態的條件(bc間的pn結仍是反偏,同時be之間通過這個“電阻”正偏),icbo全部流入三極體基極,經過三極體放大產生iceo。
11樓:匿名使用者
哇,果然是理科的東西,看不懂
三極體的問題,三極體的問題
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