1樓:匿名使用者
mos管開啟、關閉都需一定的功率、因存在電容貯存電荷效應與過渡時間、這過程叫損耗值、即管會燙、過度了管孑就燒傷。面積小通過電流大也會燒傷。mos開啟電壓需大於10v速度微秒級、關閉也需10v微秒級,就這1微秒如延長2一3微秒上升下降時間功耗就加倍了。
2樓:袁龍華
應該電流過大,在場管的柵極增加一個限流電阻,不知道你的是什麼電路,16伏的電壓直接加在柵極的話對於一些場管來說也是偏高,如果不是開關電源的話,對與一般的控制電路都在12伏左右。s極也可接個電阻做電流反饋。
3樓:匿名使用者
現在的場效電晶體源漏極間的雪崩電壓極少有低於20v的型號,所以你的場效電晶體燒壞一般不是電壓問題,而是漏極電流沒有控制在最大允許值以內所造成,無論什麼電路,都不能讓漏極電流達到或超過最大允許值。所謂上拉電阻只是在積體電路的輸出級是漏極開路輸出的形式時才有這樣的叫法,對於單隻的場效電晶體不這樣叫,多叫限流電阻,有些電路中也根本不需要上拉電阻(比如恆流原電路、電壓跟隨器電路等)。
4樓:匿名使用者
場效電晶體必須有保護電阻,功能和上拉電阻相似。否則就會燒掉~!
為什麼mos管會燒壞
5樓:讀心無心
1000瓦的燈泡多少用在家庭電路電流4.5安 mos管有npn和pnp的·在vgs=0(增強型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds·id劇增的原因有下列兩個方面:(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿(2)漏源極間的穿通擊穿·有些mos管中,其溝道長度較短,不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區,使溝道長度為零,即產生漏源間的穿通,穿通後,源區中的多數載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達漏區,產生大的id
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