1樓：匿名使用者
輸出特性。輸出特性表示ic隨uce的變化關係（以ib為引數）從下圖所示的輸出特性可見，它分為三個區域：截止區、放大區和飽和區。
截止答碼慧區 當ube＜0時，則ib≈0，發射區沒有電子注入基區，但由於分子的熱運動，集電集仍有小量電流通過，即ic=iceo稱為穿透電流，常溫時iceo約為 幾微安，鍺管約為幾十微安至幾百微安，它與集電極反向電流icbo的關係是： icbo=(1+β)icbo 常溫時矽管的icbo小於1微安，鍺管的icbo約為10微安，對於鍺管，溫度每公升高12℃，icbo數值增加一倍，而對於矽管溫度每公升高8℃，icbo 數值增大一倍，雖然矽管的icbo隨溫度變化更劇烈，但由於鍺管的icbo值本身比矽管大，所以鍺管仍然受溫度影響較嚴重的管，放大區，當晶體三清答極管。
發射 結處於正偏而集電結於反偏工作時，ic隨ib近似作線性變化，放大區是三極體工作在放大狀態的區域。 飽和區 當發射結和集電結模信均處於正偏狀態時，ic基本上不隨ib而變化，失去了放大功能。根據三極體發射結和集電結偏置情況，可能判別其工作狀態。
截止區和飽和區是三極體工作在開關狀態的區域，三極體和導通時，工作點落在飽和區，三極體截止時，工作點落在截止區。
2樓：匿名使用者
應該是每公升高10℃，|cbo將增加一倍。
當溫度公升高時,三極體的β,icbo,ube 如何變化
3樓：網友
溫度公升高，β、icbo增加，ube減小。
溫度變化時電晶體的引數將有哪些變化?
4樓：一抹又一抹
icbo iceo β 增大 vbe是負溫度係數隨溫度公升高降低度。
5樓：天天知道
當溫度變化時，電晶體特性引數電流放大係數β、反向飽和電流icbo、基一射極電壓vbe的變化比較明顯，實驗證明溫度每公升高1℃，β約增大左右，vbe減小2～；溫度每公升高10℃，icbo約增加1倍。
以基本共射放大電路為例，當溫高公升高時，可見，無論是vbe的減小，還是β、icbo的增大，都會使ic增大，靜態工作點向飽和區移動。
當溫度公升高時，晶體三極體集電極電流ic（ 變小 ），發射結壓降（ 不變 ）對不？？？
6樓：大雁
溫度的上公升，β值將增大，ic也將增大，即ie也增大，ie乘以re增大（ub電位不變），ubeq下降。
所以當溫度公升高時，晶體三極體集電極電流ic（ 變大 ），發射結壓降（ 變小）
7樓：網友
不對，當溫度公升高時，晶體三極體集電極電流ic（ 增大 ），發射結壓降（ 減小 ）。
8樓：網友
溫度公升高，原子熱運動加劇導致自由電子和空穴增加，所以在電場（電壓恆定）一定條件下電流會明顯變大！
1）對β的影響：
三極體的β隨溫度的公升高將增大，溫度每上公升l℃，β值約增大，其結果是在相同的ib情況下，集電極電流ic隨溫度上公升而增大。
2）對反向飽和電流iceo的影響：
iceo是由少數載流子漂移運動形成的，它與環境溫度關係很大，iceo隨溫度上公升會急劇增加。溫度上公升10℃，iceo將增加一倍。由於矽管的iceo很小，所以，溫度對矽管iceo的影響不大。
3）對發射結電壓ube的影響：
和二極體的正向特性一樣，溫度上公升1℃，ube將下降2～。
綜上所述，隨著溫度的上公升，β值將增大，ic也將增大，uce將下降，這對三極體放大作用不利，使用中應採取相應的措施(如加裝散熱片等）克服溫度的影響。
當溫度公升高時，晶體三極體的引數將發生什麼變化
9樓：網友
直流放大倍數hfe增大；穿透電流iceo增大。
你可以實驗一下：將三極體插入hfe插座，然後用手指捏住三極體，這時顯示數字會逐漸加大。
三極體的三種工作狀態，以及三種狀態下的特性和條件
10樓：朱哥講電子
學習電子裝置中的基礎知識要知道。
用數字萬用表測三極體的好壞
11樓：網友
數字萬用表上有二極體檔位，你可以它去測試，正常的三極體， 你能測出兩個pn結， 且正反向電阻值不一樣。
如果三極體壞了， 你能測試正反向導通電阻一樣的pn結， 有的甚至為0.
12樓：apourmaker製作
用數字萬用表測量三極體型別、管腳位置、放大倍數以及好壞判斷。
一般情況下,晶體三極體電流放大係數隨溫度的增加而
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