1樓：du知道君
最主茄歲搭要的區別就是正雀談膠經**顯影后可溶與顯影液； 負膠經**顯影后不溶與顯影液。
同樣一塊mask， 正膠和負膠**顯影后顫拿圖形是相反的。
正性光刻膠與負性光刻膠對孔金屬化的優缺點
2樓：
摘要。你好，如果進行對比，正性光刻膠的精度會比負性光刻膠的精度更加的精確。負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.
而正性膠的分辨力優於 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。但是對於同一厚度的正負光刻膠，而負型光刻膠對待溼法或者腐蝕性等方面的問題的時候會更勝一籌。這是雙方的優缺點。
你好，如果進行對比，正性光刻膠的精度會比負性光刻膠的精度更加的精確。負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優巨集蔽於 導致影響精度，正性膠則無這方面的中早影響。
但是對於同一厚度的正負光刻膠，而負賣絕雀型光刻膠對待溼法或者腐蝕性等方面的問題的時候會更勝一籌。這是雙方的優缺點。
請問老師，薄膜工藝製作掩膜版拼版改進有什麼方法建議喃？
你好。使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨氏肢率，但是薄負性膠會影響針孔，所以拍含儘量選擇正性膠會更好一些。殲賀世。
線寬的用正性光刻膠，線窄的用負性光刻膠就可以的。
請問老師，對於薄膜工藝來說負性光刻膠更適合用於哪一種薄膜製作陪陪腔喃？還有就是負蘆衫性光刻亂螞膠的厚度控制在多少能保證合格率喃？
你好。對於薄膜工藝來說負性光刻膠更適合用於薄膜電晶體薄膜製作。負型光刻膠應該控制在2-3微公尺。
請問老師，有寫這方面技術革新的文章推薦嗎？
親，你可以上知網，有很多的好文章可以看看。
shn-1型雙疊氮-環悔橋化異巖櫻戊橡膠碧棗猛類紫外負性光刻膠 光刻膠是電子工業微細加工中不可缺少的一種關鍵材料。它的發明和應用，促進了半導體積體電路的研製和生產。 第六個五年計劃期間，我國從日本等國引進。
復旦學報(自然科學版) 1987年01期。
比如這篇文章，我覺得對光刻膠的描述就很細緻而且很不錯。
請問老師，進口負性光刻膠su-8與國產負性光刻膠rol-7133的區別在哪喃？
你好，su-8 光刻膠在近紫外光攜臘(365nm-400nm)範圍內光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的**量均辯塌滑勻一致，可得到具有垂直側壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學效能、抗化學腐蝕性和熱穩定性。su-8在受到紫外輻射後發生交聯，是一衫納種化學擴大負性膠，可以形成臺階等結構複雜的圖形；且 su-8膠不導電，在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。
光學膠和光刻膠的區別？
3樓：
光學膠和光刻膠的區別：狀態不同。光學膠屬於永久性主材，光刻膠屬於製程用輔材，光學膠原材料呈固態狀態，光刻膠原材料呈液態狀態氏鏈跡。
光學膠是用於膠結透明光學元件的特種膠粘劑，要求具喚舉有殲並無色透明，光透過率在90%以上，膠結強度良好，可在室溫或中溫下固化，且有固化收縮小等特點，在配製時通常要加入一些處理劑，以改進其光學效能或降低固化收縮率。
光刻膠有哪幾種？有什麼區別？
4樓：司澤南聿
arf光刻膠是市場需求的主流，佔比約42%。而krf則多用於8寸晶圓片，佔比約22%。
半導體光刻膠根據**光源波長不同來分類，分別是紫外全譜(300～450nm)、g 線(436nm)、 i 線(365nm）、深紫外(duv，包括248nm和193nm)和極紫外(euv)，相對應於各**波長的光刻膠也由此而生。通常來說，波長越桐陪短，加工解像度越佳。
相對應於各**波長的光刻膠也由此而生。通常來說，波長越短，虛友加工解像度越佳。目前半導體用光刻膠，主要分為5個種類：
g線光刻膠，i線光刻膠，krf光刻膠局譽蠢，arf光刻膠和euv光刻膠。
arf、krf光刻膠。
到了90年代末，半導體制程工藝發展到350mm以下，g線和i線光刻膠已經無法滿足這樣的需求了，於是出現了適用於248nm波長光源的krf光刻膠和193nm波長光源的arf光刻膠。它們都屬於深紫外光刻膠，和g線、i線有質的區別。
隨後的20年裡，arf光刻膠一直是半導體制程領域效能最可靠、使用最廣泛的光刻光源。在21世紀以後，在浸沒光刻、多重光刻等新技術的輔助下，arf光刻系統突破了此前65nm解像度的瓶頸，在45nm到10nm之間的半導體制程工藝中，arf光刻技術仍然得到了最廣泛的應用。
目前，國外晶圓廠主流工藝是14nm，中國大陸晶圓代工龍頭企業中芯國際的製程是28mm，雖然三星和臺積電已有10nm以下工藝技術，但尚未大規模應用。
光刻膠的分類
5樓：
摘要。光刻膠作為半導體制造過程中必不可少的材料，主要作用是在光的照射下，其中的感光成分發生化學變化，從而實現將掩膜版上的圖形轉移到矽片等表面上的目的。光刻膠主要組分有成膜樹脂、感光成分、微量新增劑和溶劑，其中成膜樹脂用於提供機械效能和抗刻蝕能力；感光組分在光照下發生化學變化，引起溶解速率的改變；微量新增劑包括染料、增粘劑等，用以改善光刻膠效能；溶劑用於溶解各組分，使之均勻混合。
光刻膠作為半導體制造過程中必不可少顫大喚的材料，主要作用是在光的照射下，其中的感光成分發生化學變化，從而實現將掩膜版上的圖形轉移到矽片等表面上的目的。光刻膠主要組分茄凱有成膜樹脂、感光成分、微量新增劑和溶劑，其中成膜樹脂用於提供機械效能和抗刻蝕能力；感光組分在光照下發生化學變化，引起溶解速率的改變；微量新增劑包括染料、增粘劑等，用以改善仿族光刻膠效能；溶劑用於溶解各組分，使之均勻混合。
光刻膠按照感光波長可分為紫外、深紫外、極紫外、電子束、離子束以遲喚敬及x射線類光刻膠，目前常用的光刻膠有紫外碼慎、深紫外光刻膠，極紫外鏈餘光刻膠將在10nm及以下。
正負光刻膠化學成分裡含笨嗎
6樓：
摘要。正負光刻膠化學成分中不含笨。光刻膠是一種特殊的聚合物，它的主要成分是聚氨酯，其中含有苯乙烯、甲苯、二甲苯等有機物質，但不含笨。
光刻膠的製備過程主要包括配料、混合、攪拌、塗布、烘乾等步驟。首先，根據配方，將聚氨酯、溶劑、增塑劑、抗氧劑、抗紫外線劑、抗熱劑、抗老化劑等按比例混合，然後攪拌混合，使其均勻；接著，將混合物塗布在玻璃板上，並在烘箱中烘乾，使其成膜；最後，將烘乾後的膜切割成光刻膠片，即可得到光刻膠。光刻膠的製備過程中，不含笨，因此，正負光刻膠化學成分中也不含笨。
正負光刻膠化學成分中不含笨。光刻膠是一種特殊的聚合物，它的主要成分是聚氨酯，基仿其中含有苯乙烯、甲苯、二甲苯等有機物質，但不含笨。光刻膠的製備過程主要包括配料、混合、攪拌、塗布、烘乾等步驟。
首先，根據配方，將聚氨酯、溶劑、增塑劑、抗氧劑、抗紫外線劑、抗熱劑、抗老化劑等按比例混合，然後攪拌混合，使其均勻；接著，將混合物塗布在玻璃板上，並在烘箱中烘乾，使其成膜搏判纖；最後衝薯，將烘乾後的膜切割成光刻膠片，即可得到光刻膠。光刻膠的製備過程中，不含笨，因此，正負光刻膠化學成分中也不含笨。
老鄉，真心沒聽懂，可以再說得具體一些不。
一般來說，正負光刻膠化學成分中不含笨嗎。正負光刻膠是一種特殊的光刻膠，它此鉛是由聚氨酯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯醚、聚乙烯酸酯、聚氨酯乳液等多種特殊的有機物質組成的，它們都是無毒、無害的，不含笨嗎。正負光刻膠頌扒悔的主要功能是將圖形或野正文字等資訊轉換成光刻膠上的圖形，從而實現印刷電路板的功能。
正負光刻膠的特點是具有良好的光學效能，可以抵抗高溫、高溼度和高溫環境，具有良好的耐磨性和耐腐蝕性，可以滿足電路板的高要求。正負光刻膠的應用非常廣泛，它可以用於印刷電路板、電子元件、電子元件封裝、電子元件製造、電子元件組裝等，可以滿足不同行業的需求。正負光刻膠的使用可以提高印刷電路板的質量，提高電子元件的可靠性，提高電子元件的使用壽命，從而提高電子元件的效能。
分別舉乙個日常生活中應用正性光刻膠和負性光刻膠的例子。
7樓：考試資料網
答案慶蘆】：在沖洗相片的過程中，當用適當溶劑(顯影液)沖洗時，未感光部分被沖洗下來，而感光部分因不溶解而保留下來，結果得到與底片相反的影象(稱為負影象)。這類光刻塗層材料稱負性光刻膠。
而鄰重氮醌不溶於稀鹼液，當經光照後，放出氮氣，變成烯酮經水解後可生成羧基改兄，從而使高分子溶於稀鹼中，正性光刻膠就屬於這一類，受光照的部分溶於顯影液(稀鹼液)，而未受光照部分則保持不變，顯出影象，稱為正影象。正、負性光刻膠可以用於製造積體電路、照譽殲帶相底片、印刷、雷射光碟等很多方面。
光刻膠和光刻機有什麼區別
8樓：世紀網路
<>區別在於光刻是通過光刻膠把電路印製在基板上，然後在進行下一步，而光刻機就是要行進光刻這一步驟的機器。主要原理是光刻機利用特殊光線將積體電路對映到矽片表面，並要避免在矽片表面留下痕跡，需要在矽片表面塗上一層特殊的物質光刻膠。因此，光刻膠是光刻機掘御研發的重要材料，而且它不止應用於晶元，在高階面板、模擬半導體、發光二極體、光電子器件以輪散拆及光子器件上也廣泛應臘棗用。
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