半導體材料是偏向與無機非金屬材料還是金屬材料一類的？

1樓：

半導體材料更偏向與無機非金屬材料一類，半導體基底材料矽就是無機非金屬材料哦。

2樓：網友

電子電路主要是無機材料，比如：sinx,金屬材料一般是太陽能方向的，比如zno,gaas

3樓：禾中團

無機非金屬。因為半導體材料矽中只可能參入非常少的金屬原子雜物（可控，來調節半導體的導電性）。如果是偏向金屬材料，那就不是半導體，而是導體！

有色金屬工業總公司」與「半導體材料是偏向與無機非金屬材料還是金屬材料」沒有必然聯絡的呀！！！金屬公司只能說明這個公司主要生產或研究的是金屬的（這就像「農業大學」「工業大學」之類大學並不是只有學農業和工業，可以是綜合性大學），況且都是材料有相通之處！

4樓：網友

半導體有兩大類，一類是傳統的元素半導體，就是矽、鍺等，在積體電路里大量使用。中國有色金屬工業總公司當年也大量的生產矽。所以我估計你看到的半導體標準是講矽的吧？

這個公司已經被***拆分了。另一類是化合物半導體，典型的就是gaas和gan，在微波器件、光電器件用的比較多。這些的確是非金屬材料。

半導體材料有哪些?

5樓：經濟資料愛好

鍺、矽、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導電能力介於導體和絕緣體之間，叫做半導體。

半導體具有一些特殊性質。如利用半導體的電阻率與溫度的關係可製成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可製成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。

半導體還有乙個最重要的性質，如果在純淨的半導體物質中適當地摻入微量雜質測其導電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可製造各種不同用途的半導體器件，如半導體二極體、三極體等。

把一塊半導體的一邊製成p型區，另一邊製成n型區，則在交界處附近形成乙個具有特殊效能的薄層，一般稱此薄層為pn結。圖中上部分為p型半導體和n型半導體介面兩邊載流子的擴散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為pn結的形成過程，示意載流子的擴散作用大於漂移作用（用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內建電場的方向）。

下邊部分為pn結的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態平衡。

半導體材料分為哪幾類？

6樓：銀紅葉在路上

一、n型半導體。

n型半導體也稱為電子型半導體，即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。

形成原理。摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高。對於鍺、矽類半導體材料，摻雜ⅴ族元素，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、矽原子時，可提搜坦供除滿足共價鍵配位以外的乙個多餘電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主。

族化合物半導體的施主往往採用ⅳ或ⅵ族元素。某些氧化物半導體，其化學配比往往呈現缺氧，這些氧空位能表現出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導電性，即是n型半導體，真空加熱，能進一步加強缺氧的程度。

二、p型半導體。

p型半導體一般指空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。

形成。在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成p型半導體。在p型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。

由於p型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故p型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

特點：一）、n型半導體。

由於n型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故n型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越擾漏伏多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電效能就越強。

二）、p型半緩攜導體。

摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電效能就越強。