1樓：滿儉抗戊
矽片種類很多啊，有半導體的矽片，有太陽能級的矽片，單晶多晶的，清洗起來都有所差異的，但是清洗原理差不多的，主要藥劑都是酸鹼為主的。
2樓：伍誼柔秀英
清洗方法。一）rca清洗：
rca由werner
kern於1965年在。
princeton
的rca實驗室首創，並由此得名。rca
清洗是一種典型的溼式。
化學清洗。rca
清洗主要用於清除有機。
表**。粒子和金屬沾汙。
1、顆粒的清洗。
矽片。表面的顆粒去除主要用apm
也稱為。sc1
清洗液。nh4oh
h2o2h2o)
來清洗。在apm
清洗液中，由於h2o2的作用，矽片表面有一層自然。
氧化膜。sio2
呈。親水性。
矽片表面和粒子之間可用清洗液浸透，矽片表面的自然氧化膜和矽被nh4oh
腐蝕，矽片表面的粒子便落入清洗液中。粒子的去除率與矽片表面的腐蝕量有關，為去除粒子，必須進行一定量的腐蝕。在清洗液中，由於矽片表面的電位為負，與大部分粒子間都存在排斥力，防止了粒子向矽片。
表面吸附。表2常用的化學清洗溶液。
2、表面金屬的清洗。
hpmsc22)清洗。
dhf清洗。
矽片表面的金屬沾汙有兩種吸附和。
脫附。機制：
具有比矽的。
負電。性高的金屬如cuagau
從矽表面奪取電子在矽表面直接形成。
化學鍵。具有較高的。
氧化還原電位。
的溶液能從這些金屬獲得電子，從而導致金屬以離子化的形式溶解在溶液中，使這種型別的金屬從矽片表面移開。(2)
具有比矽的負電性低的金屬，如fenicr
alcanak能很容易地在溶液中離子化並沉積在矽片表面的自然氧化膜或。
化學氧化。膜上。這些金屬在稀hf
溶液中能隨自然氧化膜或化學氧化膜容易地除去。
3、有機物的清洗。
矽片表面有機物的去除常用的清洗液是。
具有很高的氧化能力，可將金屬氧化後溶於溶液中，並能把有機物氧化生成co2
和水。spm
清洗矽片可去除矽片表面的重有機沾汙和部分金屬，但是當有機物沾汙較重時會使有機物碳化而難以去除。經spm
清洗後，矽片表面會殘留有硫化物，這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉。
二）氣相干洗。
氣相干洗是在常壓下使用hf
氣體控制系統的溼度。先低速旋轉**，再高速使**乾燥，hf
蒸氣對由清洗引起的化學氧化膜的存在的工藝過程是主要的清洗方法。另一種方法是在負壓下使hf
揮發成霧。低壓對清洗作用控制良好，可揮發反應的副產品，乾片。
效果比常壓下好。並且採用兩次負壓過程的揮發，可用於清洗較深的結構圖形，如對溝槽的清洗。
矽片是如何和清洗的？
3樓：汶顥股份
1. 清洗矽片並準備掩膜：
1）濃h2so4/h2o2=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；h2o2 30%）；
2）開啟電熱板調至200℃；掩膜準備；
2. 超純水。
清洗矽片；註釋：用鑷子。
夾著矽片，不能使矽片放幹；
3. 無水乙醇。
清洗矽片，1min（搖動或超聲），不用水洗！
4. 丙酮。
清洗矽片，1min（搖動或超聲）；
5. 超純水清洗；
6. 吸水紙吸取邊緣水分（勿放於吸水紙上）；
7. 用鑷子夾住矽片，氮氣吹乾或者放在200℃電熱板上方（不能接觸），待徹底幹後，放在電熱板上5min；
請問矽片清洗劑有什麼危害？
4樓：
摘要。親愛的，矽片清洗劑危害的話，有點腐蝕性的，不要與**直接接觸，一般沒多大事的。
親愛的，矽片清洗劑危害的話，有點腐蝕性的，不要與**直接接觸，一般沒多大事的。
親愛的，矽片清洗劑廣泛應用於光伏，電子慎模等行業矽片清洗；由於矽物孝拿片在運輸過程中會有所汙染，表面潔淨度不是很高，對即將進行的腐蝕與刻蝕產生很大的影響，所以首先要對矽片表面進行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機沾汙，然後溶解氧化膜，因為氧化層是「沾汙陷進」，會引起外延缺陷；再去除顆粒、金屬等，同時使矽片的表面罩搭鈍化。
親愛的，一般來說，只要接觸**，或者就算是接觸皮慎巖膚橡老的量比較少，這些都是正常的梁孝公升，沒有什麼問題，清洗掉就可以。
矽片清洗
5樓：瀕危物種
顆粒粘附：空氣（超級淨化空氣）、人體（風淋吹掃、防護服、機械人）、裝置（特殊設計及材料定期清洗）、化學品（超淨化學品，去離子水）
去除方法：sc-1超聲清洗。
金屬宴仔猜玷汙：化學試劑，離子注入，反應離子刻蝕等工藝。
去除方法：使金屬原子氧化變成可溶性離子，sc-1,sc-2
有機物/光刻膠去除：spm，氧等離子戚者體刻蝕。
rca——標準清洗（常用在cvd沉積前清洗和不必去除自然氧化物的清洗工藝）：
sc-1（鹼性）去除顆粒、有機物，重金屬。
sc-2（酸性）去除鹼金屬離子，殘留金屬。
若要清洗有機物或者光刻膠，則改良後的rca清洗。
濺射金屬前清洗。
常用方法：a工藝：spm+sc1+sc2
b工藝：spm+dhf+sc1+sc2
c工藝：dhf+sc1+sc2
rca工藝：sc1+sc2
spm:spm
hf工藝：spm+hf
矽片表面有油脂、松香、蠟等有機物，可用有機溶劑清晌型洗。（如丙酮、乙醇）
hf/h20蒸汽清洗技術。
紫外線/臭氧乾洗技術。
ar等離子體幹法技術。
總結：顆粒：sc1(apm)、機械。
有機：spm、sc1(apm) 、有機溶劑（丙酮溶劑）
金屬：sc1(apm)、sc2(hpm)
氧化層：dhf、bhf、fpm
標準清洗流程：
金屬濺射前清洗（清除接觸孔殘留）
包含有機物的rca清洗 a
包含有機物氧化層rca清洗 b
包含氧化層rca清洗 c
spm（三號液）=h2so4（98%）+h2o2（30%） 4:1
120~150度清洗10min左右。
dhf=hf：h2o2 1：50 20~25度清洗30秒左右。
apm（一號液）=nh4oh（27%）+h2o2（30%）+h2o 1:1:5或：1:5 65~80度清洗10min
hpm（二號液）=hcl（37%）+h2o2（30%）+h2o 1:1:6~2：1：8
65~85度清洗10min
清洗後的矽片怎麼儲存
6樓：夏至
1、單晶片和外延片的儲存；可將拋光後的單晶片或外延片裝入一樣大小的小塑膠袋內，每袋裝一片，或背靠背可裝二片，然後，將小塑膠袋疊好，裝入尺寸定做的硬紙盒內，盒內上部多餘空間再放點小包矽膠防潮，蓋上盒蓋後，在盒蓋表面再寫上批次、型號、入庫時間、數量等。
2、當要使用單晶片和外延片時，只要從倉庫按需取出，然後將矽片從塑膠袋內小心取出，放入化學瓷坩堝內進行化學清洗，清洗完了最後用去離子水衝淨烘乾即可使用。
3、如果是化開的小晶元儲存，則只要用小燒杯或玻璃培養皿進行超聲清洗後再烘乾，烘乾後如短期存放就直接放在乾淨的玻璃培養皿內蓋上，然後再放入有磨口的玻璃乾燥器內。
4、烘乾後如長期存放，就在乾淨玻璃培養皿內放一層定性濾紙，然後在定性濾紙上再放一層小晶元，面上再蓋一層乾淨定性濾紙，接著又放一層小晶元，反正，這樣交替疊放，裝滿為止，最後用配套的玻璃培養皿蓋上再放入有磨口的玻璃乾燥器內或真空乾燥箱內儲存。
5、當要使用小晶元時，只需取出用丙酮——乙醇超聲機上清洗，最後用去離子水衝淨烘乾即可使用。
矽片清洗後有水印怎麼辦
7樓：懂視生活
矽片清洗後有水印怎麼辦呢？一起來和了解一下吧。
一、矽片清洗後有水印怎麼辦
1、沖洗不乾淨，可以拿一些乾淨的矽片再重新清洗一次，不要過清洗劑槽，看是否有水印出現，若無，則是清洗劑的問題，調整即可。
2、烘乾不夠，將矽片在進入烘乾通道前取出甩幹或吹乾，看是否有水印，如無，則是加大烘乾通道的力度。
3、水中雜質含量過高，造成不易清洗，清除水中的雜質即可。
二、矽片清洗工藝步驟棗芹茄有哪些
吸附在矽片表面上的雜質可分為分子型、離子型和原子型三種情況。其中分子凳察型雜質與矽片表面之間的吸附力較弱，清除這類雜質粒子比較容易。它們多屬油脂類雜質，具有疏水性的特點，對於清除離子型和原子型雜質具有掩蔽作用。
因此在對矽片進行化學清洗時，首先應該把它們清除乾淨。離子型和原子型吸附的雜質屬於化學吸附雜質，其吸附力都較強。
在一般情況下，原子型吸附雜質的量較小，因此在化學清洗時，先清除掉離子型吸附雜質，然後再清除殘存的離子型雜質及原子型雜質。
最後用高純去離子水將矽片衝冼乾淨，再加溫烘乾或甩幹就可得到潔淨表面的矽片。
綜上所述，清洗矽片的一般工藝程式為：去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另首返外，為去除矽片表面的氧化層，常要增加乙個稀氫氟酸浸泡步驟。
矽片襯底的常規清洗方法
8樓：
摘要。親，以下是矽片襯底的常規清洗方法：1.
鹼性清洗：將矽片放入含有氫氧化鈉或氫氧化銨的溶液中浸泡，常見的溶液濃度為5%~10%。這種方法可以將矽片表面的有機物和金屬離子清除掉。
2. 酸性清洗：將矽片放入含有氫氟酸或氫氯酸的溶液中浸泡，常見的溶液濃度為10%~30%。
這種方法可以去除矽片表面的氧化物和矽膠等雜質。3. 氧化清洗：
將矽片放入含有氫氧化過鉀或過氧化氫的溶液中浸泡，常見的溶液濃度為5%~10%。這種方法可以去除矽片表面的碳和金屬元素。4.
超純水清洗：將矽片放入超純水中浸泡或噴淋，常用於最後一道清洗工序。這種方法可以去除矽片表面的微小顆粒。
親，以下是矽片襯底的常規清洗方法：1. 鹼性清洗：
將矽片放入含有氫氧化鈉或氫氧化銨的溶液中浸泡，常見的溶液濃度為5%~10%。這種方法可以將矽片表面的有機物和金屬離子清除掉。2.
酸性清洗：將矽片放入含有氫氟酸或氫氯酸的溶液中浸泡，碧橘常見的溶液濃度為10%~30%。這種方法可以悔賀團去除矽片表面的氧化物和矽膠等雜質。
3. 氧化清洗：將矽片放入含有氫氧化拍檔過鉀或過氧化氫的溶液中浸泡，常見的溶液濃度為5%~10%。
這種方法可以去除矽片表面的碳和金屬元素。4. 超純水清洗：
將矽片放入超純水中浸泡或噴淋，常用於最後一道清洗工序。這種方法可以去除矽片表面的微小顆粒。
親，以上是矽片襯底的常規清洗方法，不同的清洗方法可以根據具體的清洗要求來選擇。
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